Bolacha ótica do Inp do Ge, bolacha do fosforeto de índio do dispositivo de semicondutor

Number modelo:Ge-001
Lugar de origem:CHINA
Quantidade de ordem mínima:3pcs
Capacidade da fonte:1000pcs/month
Prazo de entrega:1-4weeks
Detalhes de empacotamento:única caixa da bolacha
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Shanghai Shanghai China
Endereço: Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Bolachas de únicos cristais do germnio, placas óticas do Ge


Carcaças do germnio

Aplicaço: bolacha do germnio usada na produço de dispositivo de semicondutor, dispositivo ótico de raio infravermelho, material de naufrágio da célula solar.


Termos principais da propriedade
Método de produçoMétodo de Czochralski (CZ)
Crystal StructureCubo
Constante da estruturaa=5.65754Å
Densidade5.323g/cm3
Ponto de derretimento937.4℃
Material lubrificadoNenhuns lubrificaram ou Sb lubrificadoO índio ou o gálio lubrificaram
Tipo/NP
Resistividade>35Ωcm0.05Ωcm0.05~0.1Ωcm
EPD<4><4>
Tamanho10x3,10x5,10x10,15x15, 20x15,20x20,
dia2” x0.33mmdia2” x0.43mm15x15mm
Espessura0.5mm, 1.0mm
PolonêsÚnica cara ou cara dobro
Orientaço<100><110><111>, ±0.5º
Preciso direcional da cara de cristal±0.5°
Preciso direcional da borda2° (o pedido especial poderia ser personalizado sob 1°)
Chanfro que corta a preciso direcionalPersonalizado pelo pedido especial, sentido da borda do processo pelo ngulo especial (inclinaço 1°-45°) da bolacha
Ra:≤5Å (5µm×5µm)
PacoteSaco de limpeza de 100 categorias, quarto desinfetado 1000Grade super

A bolacha do germnio é um semicondutor excelente material e amplamente utilizado em aplicações da variedade tais como o sensor, a célula solar, as aplicações infravermelhas do sistema ótico, o diodo emissor de luz do brilho alto, e o vário semicondutor, aplicações óticas.

Lente de vidro ótica do Ge

nós oferecemos o padro e a elevada preciso janelas de vidro óticas em janelas redondas, retangulares, da cunha e na forma e no tamanho feitos sob encomenda com vidros óticos diferentes, silicone fundido, safira, ZnSe. O paralelismo da elevada preciso de 10 segundos do arco, qualidade de superfície de 10/5 e nivelamento de λ/20. Os únicos revestimentos de antirreflexo da camada ou da multi-camada esto disponíveis.


Comparaço das características de materiais
ArtigoB270CaF2GeMgF2N-BK7SafiraSiSillca fundido UVZnSeZnS
R.I. (nd)1,5231,4341,0031,4131,5171,7683,4221,4582,4032,631
Coeffcient da disperso (Vd)58,595,1N/A106,264,272,2N/A67,7N/AN/A
Densidade (g/cm3)2,553,185,333,182,463,972,332,205,275,27
TCE (μm/m℃)8,218,856,113,77,15,32,550,557,17,6
Amacie a temperatura (o ℃)53380093612555572000150010002501525
Dureza de Knoop (kg/mm2)542158,378041561022001150500120120
Produto acabados óticos das janelas
Bolacha do Ge para a categoria ótica:
SL.NoEspecificações materiais: 
1Formulário cristalino:Policristalino
2Tipo da condutibilidade:n-tipo
3Coeficiente de absorço, em 25°C0.035cm-1 @10.6µm máximo
4Resistividade típica:3-40 ohm-cm
5tamanhodia1-150mmxthickness0.5-20mm
6Dureza de Mohs:6,3
7Índice de oxigênio:< 0="">
8Furos e inclusões:<0>
9superfícielapped/1sp/2sp
10S/D40/20,20/10,60/40,80/50,

FAQ:


Q: Que é seu MOQ?

: (1) para o inventário, o MOQ é 3pcs.

(2) para produtos personalizados, o MOQ é 25pcs acima.


Q: Que é o prazo de entrega?

: (1) para os produtos padro

Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.

Para produtos personalizados: a entrega é 2 ou 3 semanas depois que você coloca a ordem.

(2) para os produtos especial-dados forma, a entrega é as 4 semanas de trabalho depois que você coloca a ordem.


Q: como é a maneira do transporte e do custo?

: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc. em 100% adiantado antes da entrega.

(2) se você tem sua própria conta expressa, é grande. Se no, nós poderíamos ajudá-lo a enviá-los.

O frete é de acordo com o pagamento real.

Q: Posso eu personalizar os produtos baseados em minha necessidade?

: Sim, nós podemos personalizar o material, especificações para seus componentes óticos

baseado em suas necessidades.


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Bolacha ótica do Inp do Ge, bolacha do fosforeto de índio do dispositivo de semicondutor

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