Carcaça cerâmica do catalizador das bolachas DSP de 4H-N 5x5mm sic
Number modelo:pureza alta 4h-semi un-lubrificado
Lugar de origem:porcelana
Quantidade de ordem mínima:10PCS
Termos do pagamento:Western Union, T/T
Capacidade da fonte:5000pcs/months
Prazo de entrega:10-20days
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
Wafers sic de alta pureza HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm DSP
Aplicaço do carburo de silício na indústria de dispositivos de
potência
Unidade de desempenho Silício Si Carbono de Silício SiC Nitreto de gálio GaN
Espaço de banda eV 1.12 3.26 3.41
Descomposiço do campo elétrico MV/cm 0,23 2,2 3.3
Mobilidade dos elétrons cm^2/Vs 1400 950 1500
Velocidade de deriva 10^7 cm/s 1.272.5
Conductividade térmica W/cmK 1,5 3,8 1.3
As placas de 4H-N 5x5mm SiC (Carburo de Silício) com superfícies
polidas de dois lados (DSP) so muito procuradas por suas
propriedades avançadas, particularmente em alta potência, alta
frequência,e aplicações de alta temperaturaComo um substrato
semicondutor, o 4H-N SiC destaca-se pela sua condutividade térmica
superior, campo elétrico de alta degradaço e largura de
banda,tornando-o um candidato ideal para dispositivos eletrônicos
de potência e RF (radiofrequência)Estas características permitem
uma converso de energia mais eficiente nos veículos elétricos,
sistemas de energia renovável e tecnologias avançadas de comunicaço
como o 5G.em substratos de catalisadores cermicosA alta resistência
corroso e a resistência mecnica do SiC ̊ em condições extremas
oferecem um ambiente ideal para reações químicas, promovendo
processos catalíticos de eficiência energética.Para indústrias como
os sistemas de escape de automóveisA combinaço de uma elevada
estabilidade térmica e de uma elevada eficiência energética
contribuem para a reduço das emissões de gases de efeito estufa e
para a melhoria da eficiência global do processo.durabilidade, e a
eficiência energética sublinha o seu papel fundamental tanto nos
avanços dos semicondutores como nas aplicações catalíticas.
A ZMSH oferece Wafer SiC e Epitaxy: A Wafer SiC é o material semicondutor de banda larga de terceira geraço com excelente desempenho.Campo elétrico de alta degradaçoA Wafer de SiC tem também grandes perspectivas de aplicaço na indústria aeroespacial, no transporte ferroviário, na indústria da construço civil, na indústria de automóveis e na indústria de automóveis.Produço de energia fotovoltaica, transmisso de energia, veículos de novas energias e outros campos, e trará mudanças revolucionárias para a tecnologia de electrónica de potência.Cada wafer está em um recipiente de wafer, menos de 100 salas limpas.
As bolhas de SiC preparadas para epi têm tipo N ou semi-isolaço, o
seu politipo é de 4H ou 6H em diferentes graus de qualidade,
Densidade de microtubos (MPD): livre, <5/cm2, <10/cm2,
<30/cm2, <100/cm2,e o tamanho disponível é 2No que diz
respeito ao SiC Epitaxy, a sua uniformidade de espessura de wafer
para wafer: 2% e a uniformidade de dopagem de wafer para wafer: 4%,
a concentraço de dopagem disponível é de E15, E16, E18, E18/cm3,So
disponíveis as camadas n e p de epi, os defeitos de epi so
inferiores a 20/cm2; todo o substrato deve ser utilizado em grau de
produço para o crescimento de epi; as camadas de epi de tipo N <
20 microns so precedidas por uma camada tampo de tipo n, E18 cm-3,
0,5 μm;As camadas de epi de tipo N≥ 20 microns so precedidas de
camadas de epi de tipo n, E18, camada tampo de 1-5 μm; a dopagem do
tipo N é determinada como um valor médio em toda a bolacha (17
pontos) utilizando a sonda CV Hg;A espessura é determinada como um
valor médio em toda a bolacha (9 pontos) utilizando o FTIR.
2. tamanho dos substratos
4 polegadas de dimetro de carburo de silício (SiC) Especificaço do substrato | |||||||||
| Grau | Grau zero de MPD | Grau de produço | Grau de investigaço | Grau de simulaço | |||||
| Dimetro | 76.2 mm±0,3 mm ou 100±0,5 mm; | ||||||||
| Espessura | 500±25um | ||||||||
| Orientaço da wafer | 0° fora do eixo (0001) | ||||||||
| Densidade dos microtubos | ≤ 1 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 15 cm-2 | ≤ 50 cm-2 | |||||
| Resistividade | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 00,02 a 0,1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | ||||||||
| Flat e comprimento primário | {10-10} ± 5,0°,32.5 mm±2.0 mm | ||||||||
| Duraço plana secundária | 180,0 mm±2,0 mm | ||||||||
| Orientaço plana secundária | Silício virado para cima: 90° CW. a partir de Prime flat ±5,0° | ||||||||
| Excluso da borda | 3 mm | ||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤ 15 μm /≤ 25 μm /≤ 40 μm | ||||||||
| Resistência corroso | Polish Ra≤1 nm,CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||
| Fragmentaço por luz de alta intensidade | Nenhum | 1 permitido, ≤ 2 mm | Comprimento acumulado ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | ||||||
| Placas hexadecimais por luz de alta intensidade | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | ||||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidade | Nenhum | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | ||||||
Wafer Sic e lingotes 2-6 polegadas e outros tamanhos personalizados também podem ser fornecidos.
3.Exposiço de detalhes dos produtos
Entrega e embalagem
Perguntas frequentes
- Q1. É a sua empresa uma fábrica ou uma empresa comercial?
- Somos a fábrica e também podemos exportar.
- P2. A sua empresa só trabalha com negócios de sic?
- Sim; no entanto no cultivamos o cristal de Sic sozinhos.
- P3: Pode fornecer uma amostra?
- Sim, podemos fornecer amostras de safira de acordo com as exigências do cliente.
- P4: Tem algum estoque de wafers sic?
- Nós geralmente mantemos algumas bolinhas de tamanho padro de 2-6 polegadas em estoque
- Q5.Onde está localizada a sua empresa?
- A nossa empresa está localizada em Xangai, China.
- Quanto tempo levará para obter os produtos?- No.
- Em geral, levará 3~4 semanas para processar. Depende da e do tamanho dos produtos.
Carcaça cerâmica do catalizador das bolachas DSP de 4H-N 5x5mm sic
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