2 bolacha roxa do diodo emissor de luz da bolacha SSP do diodo emissor de luz Epi de GaN Sapphire da polegada

o azul da GaN-EM-safira de 2inch 4inch 6inch conduziu bolachas verdes da epi-bolacha PSS do diodo emissor de luz

Como um fabricante e um fornecedor principais de bolachas do epi de GaN (nitreto do gálio), nós oferecemos 2-6inch GaN em bolachas do epi da safira para aplicações da eletrônica da micro-ondas com uma espessura de 2 na polegada das carcaças 430um da safira do C-plano, 4 polegadas 520um, 650um e 6 polegadas 1000-1300um, o valor normal da camada do amortecedor de GaN so 2-4um; nós podemos igualmente fornecer estruturas e parmetros personalizados de acordo com exigências de cliente.

GaN em Sapphire Templates

GaN em moldes da safira está disponível nos dimetros de 2" até 6" e consiste em uma camada fina de GaN cristalino crescida por HVPE em uma carcaça da safira. moldes Epi-prontos agora disponíveis

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Características de cano principal (azuis/estrutura verde do diodo emissor de luz):
boa qualidade de cristal
Dispositivos optoelectronic de capacidade elevada

Para mais informaço, visite por favor nosso Web site a outra página;
envie-nos o e-mail em eric-wang@galliumnitridewafer.com

ZMSH é um fabricante principal do material do semicondutor em China. ZMSH desenvolve tecnologias avançadas do crescimento de cristal e da epitaxia, processos de manufatura, carcaças projetadas e dispositivos de semicondutor. Nossas tecnologias permitem um desempenho mais alto e uma fabricaço mais barata da bolacha de semicondutor.

Você pode obter nosso serviço livre da tecnologia do inquérito após ao serviço baseado em nossas experiências 10+ na linha do semicondutor.