bolachas de GaN-em-SIC Epi do GaN-em-si de 4Inch 6INCH para a aplicação do RF
Number modelo:GaN-EM-silicone 6/8/12INCH
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1PCS
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:100pcs
Prazo de entrega:2-4weeks
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Shanghai Shanghai China
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
EPI-WAFERS GAN-ON-SI de 8 polegadas, 12 polegadas, 6 polegadas para aplicaço de micro-LED RF
8 polegadas 100mm 150mm 200mm 300mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS para aplicaço de energia
Wafer epitaxial GaN (GaN EPI em Silício)
O nitreto de gálio (GaN) tem sido amplamente usado em dispositivos
de energia e diodos emissores de luz azul devido sua grande lacuna
de energia.
Introduço
Para responder a estas necessidades, a Comisso propõe a criaço de
uma base de dados para a avaliaço dos custos de
produço.Desenvolvemos um substrato semicondutor de banda larga com
nitruro de gálio (GaN) como material semicondutor de próxima
geraço.
Conceito: Ao cultivar filmes finos de GaN de cristal único em
substratos de silício, podemos produzir substratos de
semicondutores grandes e baratos para dispositivos de próxima
geraço
.
Alvo: Para aparelhos domésticos: interruptores e inversores com
tensões de ruptura nas centenas.
Vantagens: Os nossos substratos de silício so mais baratos para
cultivar GaN do que outros substratos de carburo de silício ou
safira, e podemos fornecer dispositivos de GaN adaptados aos
requisitos do cliente.
Glossário
Espaço de banda larga
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in
a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials
with a band gap larger than silicon are often referred to as wide
band gap semiconductors)Material de banda larga com boa
transparência óptica e alta tenso de ruptura elétrica
Heterojunço
Em termos gerais, no campo dos semicondutores, so empilhados filmes
relativamente finos de materiais semicondutores de diferentes
composições.No caso dos cristais mistos, so obtidas heterojunções
com interfaces atomicamente suaves e boas propriedades de
interface.
Especificações dos Wafers Epi para aplicações de energia com
GaN-on-Si
Especificaço do produto
Elementos Valores/Ámbito de aplicaço
Substrato Si
Dimetro da bolacha 100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm
Espessura da camada epi 2-7 μm
Arco de wafer < 30 μm, típico
Morfologia da superfície RMS < 0,5 nm em 5×5 μm2
Barreira AlXGa1-XN, 0
Cap layer In-situ SiN ou GaN (modo D); p-GaN (modo E)
2DEG densidade > 9E12/cm2 (20nm Al0,25GaN, 150mm)
Mobilidade dos elétrons > 1800 cm2 /Vs (20nm Al0,25GaN, 150mm)
FEspecificações dos Wafers Epi de aplicaço de RF GaN-on-SiAplicaçoems Valores/Ámbito de aplicaço
Substrato HR_Si / SiC
Dimetro da bolacha 100 mm, 150 mm para SiC,
100 mm, 150 mm, 200 mm para HR_Si
Espessura da camada epi 2-3 μm
Arco de wafer < 30 μm, típico
Morfologia da superfície RMS < 0,5 nm em 5×5 μm2
Barreira AlGaN ou AlN ou InAlN
Camada de cap In situ SiN ou GaN
• Todos os membros da equipa técnica têm mais de 10 anos de
experiência em GaN
Capacidade
• Sala limpa de classe 1000 de 3300 m2
• 200 mil peças/ano para epiwafers de 150 mm GaN
Produto
Diversidade
• GaN-on-Si (até 300 mm)
• GaN-on-SiC (até 150 mm)
• GaN-on-HR_Si (até 200 mm)
• GaN-on-Sapphire (até 150 mm)
• GaN sobre GaN
IP & Qualidade • ~400 patentes registadas na China, EUA, Japo,
etc.
com > 100 concedidos
• Licença de 80 patentes da imec
• Certificado ISO9001:2015 para conceço e
Fabricaço de material de GaN epi
Perguntas frequentes:
Q: Qual é o seu MOQ?
R: (1) Para inventário, o MOQ é de 1pcs.
(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 5pcs.
P: Qual é a forma de envio e custo?
A: ((1) Aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.
(2) Se você tem sua própria conta expressa, é ótimo. Se no, podemos ajudá-lo a enviá-los.
O frete está de acordo com a liquidaço real.
P: Qual é o prazo de entrega?
Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a sua encomenda.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 ou 3 semanas após a sua encomenda.
P: Tem produtos padro?
R: Os nossos produtos normais em estoque. como 4 polegadas 0,65mm,0Wafer polido de.5mm.
P: Como pagar?
A: 50% de depósito, deixado antes da entrega T/T,
P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações e revestimento óptico para o seu óptico
componentes com base nas suas necessidades.
bolachas de GaN-em-SIC Epi do GaN-em-si de 4Inch 6INCH para a aplicação do RF
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