Área térmica da gestão de GaN Diamond Heat Sink Wafers For do método de MPCVD

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bolachas customzied de GaN& Diamond Heat Sink do método do tamanho MPCVD para a área térmica da gesto

O diamante tem a diferença de faixa larga, a condutibilidade térmica alta, a força de campo alta da diviso, a mobilidade de portador alta, a resistência de alta temperatura, a resistência do ácido e do alcaloide, a resistência de corroso, a resistência de radiaço e outras propriedades superiores
O poder superior, alta frequência, campos de alta temperatura joga um papel importante, e é considerado como um dos materiais largos os mais prometedores do semicondutor da diferença de faixa.

Vantagens do diamante
• Condutibilidade térmica da temperatura ambiente a mais alta de algum material (até 2000W/m.k) • Aspereza de superfície e nivelamento alto da superfície do crescimento •<1nm can="" be="" achieved=""> Isolaço elétrica • Extremamente de pouco peso
• Força mecnica alta • • Inércia química e baixa toxicidade
• Vasta gama de espessuras disponíveis • Vasta gama de soluções da ligaço do diamante

O diamante é um material super da dissipaço de calor com desempenho excelente:
• O diamante tem a condutibilidade térmica a mais alta de todo o material na temperatura ambiente. E o calor é a razo importante da falha de produto eletrônica.

De acordo com estatísticas, a temperatura da junço de trabalho deixará cair baixo 10 que o ° C pode dobrar a vida do dispositivo. A condutibilidade térmica do diamante é 3 a 3 mais altos do que aquele de materiais térmicos comuns da gesto (tais como o cobre, o carboneto de silicone e o nitreto de alumínio)
10 vezes. Ao mesmo tempo, o diamante tem as vantagens da isolaço de pouco peso, elétrica, força mecnica, baixa toxicidade e baixa constante dielétrica, que fazem o diamante, é uma escolha excelente de materiais da dissipaço de calor.

• Dê o jogo completo ao desempenho térmico inerente do diamante, que resolverá facilmente de “o problema da dissipaço calor” enfrentado pelo poder, por dispositivos de poder, etc. eletrônicos.

No volume, melhore a confiança e para aumentar a densidade de poder. Uma vez que o problema “térmico” é resolvido, o semicondutor estará melhorado igualmente significativamente eficazmente melhorando o desempenho da gesto térmica,
A vida útil e o poder do dispositivo, ao mesmo tempo, para reduzir extremamente os custos de operaço.

Dissipador de calor TC1200 do diamante, TC 1500, TC 1800

capacidade de moedura 1.International e de lustro de conduço, conseguindo a aspereza de superfície do Ra da superfície do crescimento < do 1nm
O depósito composto é um eficiente e o método fazendo máquina preciso para a superfície nivelada atômica do diamante baseada no plasma ajudou moedura e ao lustro. Para a carcaça do diamante de 2 polegadas, a superfície pode ser tornada áspero
A aspereza é reduzida dos dez dos micrômetros a menos do que 1nm. Esta tecnologia tem a eficiência alta da remoço, pode obter a superfície plana nivelada atômica, e no produz a superfície secundária.
Dano de superfície. Presentemente, somente alguns fabricantes têm a moedura de superfície super do diamante e o lustro ao Ra < ao 1nm, e o composto químico alcançou o nível principal internacional.

2.Ultra condutibilidade térmica alta, T C: 1000-2000 W/m.K
Quando a condutibilidade térmica é exigida ser 1000~2000 W/m K, o dissipador de calor do diamante é preferida e somente o material opcional do dissipador de calor. SMT composto pode ser determinado de acordo com exigências de cliente
Presentemente, três produtos padro foram lançados: TC1200, TC 1500 e TC 1800.

3. Provide personalizou serviços tais como a espessura, o tamanho e a forma
A espessura do dissipador de calor depositado composto do diamante pode variar de 200 a 1000 mícrons, e o dimetro pode alcançar 125 milímetros na primeira metade de 2022. Nós temos o corte do laser e capacidades de lustro fornecer clientes a forma geométrica, o nivelamento de superfície e baixa aspereza, assim como serviços da metalizaço que cumprem suas exigências específicas.

Aplicações típicas
Dispositivo RF do poder superior
• Amplificador do RF da estaço base • Amplificador satélite do uplink do RF • Amplificador da micro-ondas
Poder superior fotoelétrico
• Diodo láser e disposiço do diodo láser • Módulo ótico de IC do plano • Diodo emissor de luz do brilho alto
Dispositivo de poder de alta tenso
• Subsistema automotivo • Subsistema aeroespacial • Distribuiço da energia • Conversor de DC/DC
Equipamento do semicondutor
• Testes da caracterizaço • Processo do remendo

Detalhe da especificaço do tamanho

Os produtos mostram