GaN On Diamond And Dimond no HEMT de GaN Wafer By Epitaxial e na ligação

bolachas customzied de GaN& Diamond Heat Sink do método do tamanho MPCVD para a área térmica da gesto

GaN é amplamente utilizado em campos da radiofrequência, rapidamente do carregamento e o outro, mas seus desempenho e confiança so relacionados temperatura no canal e no efiect de aquecimento do joule. Os materiais de uso geral da carcaça (safira, silicone, carboneto de silicone) de dispositivos de poder GaN-baseados têm a baixa condutibilidade térmica. Limita extremamente a dissipaço de calor e as exigências de desempenho de alta potência do dispositivo. Confiando somente em materiais tradicionais da carcaça (silicone, carboneto de silicone) e na tecnologia refrigerando passiva, é difícil cumprir as exigências da dissipaço de calor sob as circunstncias do poder superior, limitando severamente a liberaço do potencial de dispositivos de poder GaN-baseados. Os estudos mostraram que o diamante pode significativamente melhorar o uso de dispositivos de poder GaN-baseados. Problemas térmicos existentes do efeito.

O diamante tem a diferença de faixa larga, a condutibilidade térmica alta, a força de campo alta da diviso, a mobilidade de portador alta, a resistência de alta temperatura, a resistência do ácido e do alcaloide, a resistência de corroso, a resistência de radiaço e outras propriedades superiores
O poder superior, alta frequência, campos de alta temperatura joga um papel importante, e é considerado como um dos materiais largos os mais prometedores do semicondutor da diferença de faixa.

O diamante é um material super da dissipaço de calor com desempenho excelente:
• O diamante tem a condutibilidade térmica a mais alta de todo o material na temperatura ambiente. E o calor é a razo importante da falha de produto eletrônica.

De acordo com estatísticas, a temperatura da junço de trabalho deixará cair baixo 10 que o ° C pode dobrar a vida do dispositivo. A condutibilidade térmica do diamante é 3 a 3 mais altos do que aquele de materiais térmicos comuns da gesto (tais como o cobre, o carboneto de silicone e o nitreto de alumínio)
10 vezes. Ao mesmo tempo, o diamante tem as vantagens da isolaço de pouco peso, elétrica, força mecnica, baixa toxicidade e baixa constante dielétrica, que fazem o diamante, é uma escolha excelente de materiais da dissipaço de calor.

• Dê o jogo completo ao desempenho térmico inerente do diamante, que resolverá facilmente de “o problema da dissipaço calor” enfrentado pelo poder, por dispositivos de poder, etc. eletrônicos.

No volume, melhore a confiança e para aumentar a densidade de poder. Uma vez que o problema “térmico” é resolvido, o semicondutor estará melhorado igualmente significativamente eficazmente melhorando o desempenho da gesto térmica,
A vida útil e o poder do dispositivo, ao mesmo tempo, para reduzir extremamente os custos de operaço.

Método da combinaço

• 1. Diamante em GaN
• Diamante crescente na estrutura do HEMT de GaN

• 2. GaN no diamante
• Crescimento epitaxial direto de estruturas de GaN na carcaça do diamante

• 3. GaN/ligaço do diamante
• Depois que o HEMT de GaN é preparado, ligaço de transferência carcaça do diamante

Área de aplicaço

• Uma comunicaço da radiofrequência 5G da micro-ondas, aviso de radar, uma comunicaço satélite e outras aplicações;

• Grade esperta da eletrônica de poder, trnsito do trilho de alta velocidade, veículos novos da energia, produtos eletrónicos de consumo e outras aplicações;

Luzes do diodo emissor de luz da ótica eletrónica, lasers, fotodetector e outras aplicações.