Material do semicondutor das bolachas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS Device

1. Comparaço de materiais de terceira geraço do semicondutor

Sic de cristal é um material de terceira geraço do semicondutor, que tenha grandes vantagens nas encenações da baixa potência, da miniaturizaço, as de alta tenso e as de alta frequência da aplicaço. Os materiais de terceira geraço do semicondutor so representados pelo carboneto de silicone e pelo nitreto do gálio. Comparado com as duas gerações precedentes de materiais do semicondutor, a vantagem a mais grande está a sua largura faixa-livre larga, que se assegura de que possa penetrar uma força de campo elétrico mais alta e se é apropriada para preparar dispositivos de poder de alta tenso e de alta frequência.

2. Especificaço para bolachas de 6inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, sic bolacha 8inch igualmente está disponível)

Categoria		Produço zero de MPD Categoria (categoria de Z)	Categoria da produço padro (categoria de P)	Categoria do manequim (Categoria de D)
Dimetro		99,5 mm~100.0 milímetro
Espessura	4H-N	350 μm±20 μm	350 μm±25 μm
	4H-SI	500 μm±20 μm	500 μm±25 μm
Orientaço da bolacha		Fora da linha central: 4.0°toward <1120> ±0.5°for 4H-N, na linha central: <0001> ±0.5°for 4H-SI
Densidade de Micropipe	4H-N	≤0.5cm-2	cm2 ≤2	cm2 ≤15
	4H-SI	≤1cm-2	cm2 ≤5	cm2 ≤15
Resistividade do ※	4H-N	0.015~0.025 Ω·cm		0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E9 Ω·cm		≥1E5 Ω·cm
Orientaço lisa preliminar		{10-10} ±5.0°
Comprimento liso preliminar		32,5 mm±2.0 milímetro
Comprimento liso secundário		18,0 mm±2.0 milímetro
Orientaço lisa secundária		Silicone de face para cima: 90°CW. de ±5.0° liso principal
Excluso da borda		3 milímetros
LTV/TTV/Bow /Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Aspereza do ※		Ra≤1 polonês nanômetro
		CMP Ra≤0.2 nanômetro		Ra≤0.5 nanômetro
Quebras da borda pela luz da alta intensidade		Nenhum		≤ cumulativo do comprimento 10 milímetros, único length≤2 milímetro
Encantar placas pela luz da alta intensidade		Área cumulativa ≤0.05%		Área cumulativa ≤0.1%
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade		Nenhum		Area≤3% cumulativo
Inclusões visuais do carbono		Área cumulativa ≤0.05%		Área cumulativa ≤3%
Riscos da superfície do silicone pela luz da alta intensidade		Nenhum		Cumulativo len ‘o dimetro de gth≤1×wafer
Borda Chips High By Intensity Light		Nenhuns permitiram a largura e a profundidade de ≥0.2 milímetro		5 reservados, ≤1 milímetro cada um
Contaminaço de superfície do silicone pela alta intensidade		Nenhum
Empacotamento		gaveta da Multi-bolacha ou único recipiente da bolacha

2. Corrente industrial

A corrente sic industrial do carboneto de silicone é dividida na preparaço material da carcaça, no crescimento da camada epitaxial, na fabricaço do dispositivo e em aplicações a jusante. Os monocristal do carboneto de silicone so preparados geralmente pela transmisso física do vapor (método de PVT), e as folhas epitaxial so geradas ento pelo depósito de vapor químico (método do CVD) na carcaça, e os dispositivos relevantes so feitos finalmente. Na corrente industrial sic de dispositivos, devido dificuldade da tecnologia de fabricaço da carcaça, o valor da corrente industrial é concentrado principalmente na relaço ascendente da carcaça.