N-tipo 6H ou 4H das bolachas do carboneto de silicone 2Inch ou Semi-isolamento sic de carcaças
Number modelo:4h-n
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3PCS
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:1000PC/Month
Prazo de entrega:1-4weeks
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Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H tipo N ou substratos de SiC semi-isolantes
Vantagens do carboneto de silício
Dureza
Existem inúmeras vantagens em usar carboneto de silício em relaço aos substratos de silício mais tradicionais.Uma das principais vantagens é a sua dureza.Isso dá ao material muitas vantagens, em aplicações de alta velocidade, alta temperatura e/ou alta tenso.
Wafers de carboneto de silício têm alta condutividade térmica, o que significa que eles podem transferir calor de um ponto para outro bem.Isso melhora sua condutividade elétrica e, finalmente, a miniaturizaço, um dos objetivos comuns da mudança para wafers de SiC.
capacidades térmicas
Alta resistência ao choque térmico.Isso significa que eles têm a capacidade de mudar de temperatura rapidamente sem quebrar ou rachar.Isso cria uma clara vantagem na fabricaço de dispositivos, pois é outra característica de tenacidade que melhora a vida útil e o desempenho do carboneto de silício em comparaço com o silício a granel tradicional.
Classificaço
Os substratos de carboneto de silício SiC podem ser divididos em duas categorias: substratos de carboneto de silício semi-isolados (alta pureza no dopendido e 4H-SEMI dopado com V) com alta resistividade (resistividade ≥107Ω·cm) e substratos de carboneto de silício condutores com baixa resistividade (a faixa de resistividade é 15-30mΩ·cm).
Especificaço para wafers sic 4H-N de 6 polegadas.
(2 polegadas, 3 polegadas 4 polegadas, 8 polegadas sic wafer também
está disponível)
| Nota | Produço MPD zero Grau (Grau Z) | Grau de Produço Padro (Grau P) | Nota fictícia (Grau D) | |
| 99,5 mm ~ 100,0 mm | ||||
| 4H-N | 350 μm ± 20 μm | 350 μm ± 25 μm | ||
| 4H-SI | 500 μm ± 20 μm | 500 μm ± 25 μm | ||
| Orientaço da bolacha | ||||
| Densidade do Microtubo | 4H-N | ≤0,5cm-2 | ≤2 cm-2 | ≤15 cm-2 |
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | |
| ※ Resistividade | 4H-N | 0,015~0,025 Ω·cm | 0,015~0,028 Ω·cm | |
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | ||
| Orientaço Plana Primária | {10-10} ±5,0° | |||
| Comprimento Plano Primário | 32,5 mm ± 2,0 mm | |||
| Comprimento Plano Secundário | 18,0 mm ± 2,0 mm | |||
| Orientaço Plana Secundária | Silício voltado para cima: 90°CW.do primeiro plano ± 5,0° | |||
| Excluso de Borda | 3 mm | |||
| LTV/TTV/arco/urdidura | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | ||
※ Rugosidade | Polonês Ra≤1 nm | |||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | |||
Rachaduras na borda por luz de alta intensidade | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | ||
| Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤0,1% | ||
| Áreas Politípicas por Luz de Alta Intensidade | Nenhum | Área cumulativa≤3% | ||
| Inclusões visuais de carbono | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤3% | ||
Arranhões na superfície do silício por luz de alta intensidade | Nenhum | Len`gth cumulativo≤1×dimetro do wafer | ||
| Fichas de borda altas por luz de intensidade | Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade | 5 permitidos, ≤1 mm cada | ||
Contaminaço de superfície de silício por alta intensidade | Nenhum | |||
| Cassete Multi-wafer ou Recipiente Único de Wafer | ||||
cadeia industrial
A cadeia industrial de carboneto de silício SiC é dividida em preparaço de material de substrato, crescimento da camada epitaxial, fabricaço de dispositivos e aplicações a jusante.Os monocristais de carboneto de silício so geralmente preparados por transmisso física de vapor (método PVT) e, em seguida, folhas epitaxiais so geradas por deposiço química de vapor (método CVD) no substrato e os dispositivos relevantes so finalmente feitos.Na cadeia industrial de dispositivos SiC, devido dificuldade da tecnologia de fabricaço do substrato, o valor da cadeia industrial concentra-se principalmente no elo substrato a montante.
A empresa ZMSH fornece wafers SiC de 100 mm e 150 mm.Com sua dureza (SiC é o segundo material mais duro do mundo) e estabilidade sob calor e corrente de alta tenso, este material está sendo amplamente utilizado em diversas indústrias.
Preço
A empresa ZMSH oferece o melhor preço do mercado para wafers de SiC de alta qualidade e substratos de cristal de SiC de até seis (6) polegadas de dimetro.Nossa política de correspondência de preços garante o melhor preço para os produtos de cristal SiC com especificações comparáveis.CONTATE-NOShoje para obter sua cotaço.
Costumizaço
Produtos personalizados de cristal de SiC podem ser feitos para atender aos requisitos e especificações particulares do cliente.
Epi-wafers também podem ser personalizados mediante solicitaço.
Perguntas frequentes
P: Qual é o caminhode envio e custo e prazo de pagamento?
R:(1) Aceitamos 50％ T/T com antecedência e deixamos 50% antes da entrega por DHL, Fedex, EMS etc.
(2) Se você tiver sua própria conta expressa, ótimo. Se no, podemos ajudá-lo a enviá-los.
frete sou eunde acordo com a liquidaço real.
Q: Qual é o seu MOQ?
R: (1) para inventário, o pedido é de 3 peças.
(2) Para produtos personalizados, o MOQ é 10pcs acima.
P: posso personalizar os produtos com base na minha necessidade?
R: sim, podemos personalizar o material, especificações e formato, tamanho com base em suas necessidades.
Q: Qual é o tempo de entrega?
A: (1) Para os produtos padro
Para estoque: o prazo de entrega é de 5 dias úteis após o pedido.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 ou 3 semanas após o pedido.
(2) Para os produtos de formato especial, a entrega é de 4 semanas úteis após o pedido.
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