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tipo carcaças do método P do crescimento de 6inch VGF do GaAs das bolachas do GaAs
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Bolacha do GaAs
As bolachas GaAS da carcaça do GaAS das bolachas da carcaça do GaAs das bolachas do GaAs so um material do semicondutor com propriedades superiores da migraço de alta frequência, alta do elétron, do desempenho alto do elétron, do baixo som salivar e de bens lineares. É amplamente utilizado nas indústrias da ótica eletrónica e da microeletrônica. Na indústria da ótica eletrónica, as bolachas da carcaça do GaAS podem ser usadas fabricando o diodo emissor de luz (tubo luminescente), o LD (jardim claro de ensino), dispositivos fotovoltaicos, etc. No campo da indústria da microeletrônica, pode ser usado para fazer MESFET (tubo do couro do efeito de campo do semicondutor do metal), HEMT (transistor de mobilidade de elétron alto), HBT (transistor bipolar da heterojunço), IC, diodo da micro-ondas, dispositivo de salo, etc.
GaAs (arsenieto de gálio) para aplicações do diodo emissor de luz | ||
Artigo | Especificações | Observações |
Tipo da conduço | SC/n-type | |
Método do crescimento | VGF | |
Entorpecente | Silicone | |
Bolacha Diamter | 2, 3 & 4 polegadas | Lingote ou como-corte disponível |
Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° fora de (110) | O outro misorientation disponível |
DE | EJ ou E.U. | |
Concentraço de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
Mobilidade | 1500~3000 cm2/V.sec | |
Gravura em gua forte Pit Density | <500> | |
Marcaço do laser | mediante solicitaço | |
Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
Espessura | 220~350um | |
Epitaxia pronta | Sim | |
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
Exposiço do produto
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