estrutura do monocline da carcaça do óxido do gálio de 10x10mm
Number modelo:Bolacha de 6INCH GaAs
Lugar de origem:CHINA
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Capacidade da fonte:500PCS/Month
Prazo de entrega:1-4weeks
Detalhes de empacotamento:Filme do ANIMAL DE ESTIMAÇÃO no quarto desinfetado de 100 categorias
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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estrutura do monocline da carcaça do óxido do gálio de 10x10mm
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O cristal de estado estacionário do óxido do gálio tem uma estrutura do monoclinal com dois planos da segmentaço (100) e (001). Tanto quanto o processo do crescimento, o processo do crescimento (dos 100) cristais cristalinos do óxido do gálio da fase é mais fácil de crescer, quando o processo do crescimento (dos 001) cristais exigir extremamente altamente controle de processos. Sob as mesmas circunstncias de processamento, a qualidade de superfície e o rendimento (das 001) superfícies so melhores, e (as 100) superfícies facilmente so fendidas e quebradas, fazendo a difícil conseguir o processamento eficiente e alto da qualidade de superfície. Do lado da aplicaço, (os 001) óxidos de cristal principal do gálio da fase so mais apropriados para o uso de dispositivos de semicondutor do poder, assim que é difícil controlar o crescimento (dos 001) cristais de cristal principal do óxido do gálio da fase, mas tem o grande valor industrial, ou no tem o processo do crescimento de grande óxidos de cristal do gálio da fase do cano principal do tamanho (001), lado da aplicaço do mercado do óxido do gálio será extremamente difícil promover o processo.
Aplicaço: Materiais largos do semicondutor do bandgap
Antes de introduzir o óxido do gálio (Ga2O3), deixe-me introduzir
um outro termo: materiais largos do semicondutor da diferença de
faixa.
A largura de diferença da faixa é um parmetro característico importante do semicondutor. De acordo com a estrutura de faixa diferente de materiais do semicondutor, os materiais do semicondutor podem ser divididos em dois tipos: diferença de faixa larga e diferença de faixa estreita. Se a largura de diferença da faixa do material do semicondutor é menos do que 2.3eV, está chamado um semicondutor de faixa estreita da diferença. Se a largura de diferença da faixa do material do semicondutor é superior ou igual a 2.3eV, está chamado um semicondutor da diferença da largo-faixa. Maior a largura do bandgap de um material do semicondutor, do maior a energia exigida para seus elétrons transiço faixa de conduço, e assim do mais alta a temperatura e a tenso que o material pode suportar, isto é, menos fácil é transformar-se um condutor.
Os materiais largos do semicondutor da diferença de faixa so muito apropriados para a produço de resistência de radiaço, alta frequência, poder superior e os dispositivos eletrónicos integrados alto densidade, que têm a boa resistência de radiaço e estabilidade química, velocidade saturada alta da traço do elétron e condutibilidade térmica, propriedades elétricas excelentes e outras características. Nos últimos anos, os materiais largos rapidamente tornando-se do semicondutor da diferença de faixa têm perspectivas largas da aplicaço na iluminaço do semicondutor, em uma nova geraço de uma comunicaço móvel, na grade esperta, no trnsito do trilho de alta velocidade, em veículos novos da energia, em produtos eletrónicos de consumo e em outros campos, e so esperados transformar-se os materiais novos chaves que apoiam o desenvolvimento da informaço, da energia, do transporte, da defesa nacional e das outras indústrias. A investigaço e desenvolvimento da tecnologia relacionada de materiais do semicondutor de largo-Gap está transformando-se umas montanhas estratégicas novas na indústria global do semicondutor.
Detalhe da especificaço
| Orientaço | 100 | 100 | 100 |
| Lubrificaço | UID | Magnésio | Fe |
| parmetro elétrico | 1×1017~3×1018cm-3 | ≥1010Ω·cm | ≥1010Ω·cm |
arcsec | ≤150 | ≤150 | ≤150 |
| densidade de deslocaço | cm2 <1×105 | cm2 <1×105 | cm2 <1×105 |
SOBRE NOSSO ZMKJ
ZMKJ localiza na cidade de Shanghai, que é a melhor cidade de
China, e nossa fábrica é fundada
na cidade de Wuxi em 2014. Nós especializamo-nos em processar uma
variedade de materiais em bolachas, carcaças
e custiomized parts.components de vidro ótico amplamente utilizado
na eletrônica, sistema ótico,
ótica eletrónica e muitos outros campos. Nós temos trabalhado
igualmente proximamente com muitos domésticos
e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas
ultramarinas, fornecem produtos personalizados
e serviços para seus projetos do R&D.
Empacotamento – Logistcs
Os interesses de Worldhawk detalham cada do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.
De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!
Os interesses de Worldhawk detalham cada do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.
De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!
FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e pela CORRENTE DE RELÓGIO
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e pela CORRENTE DE RELÓGIO
e condiço do pagamento do depósito de 50%, 50% antes da entrega.
Q: Que é o prazo de entrega?
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10pcs-30pcs.
Q: Você tem o relatório de inspeço para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
estrutura do monocline da carcaça do óxido do gálio de 10x10mm
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