Dureza personalizada da carcaça do carboneto de silicone do tamanho 9,4 sic porções para o equipamento

Número de modelo:Personalizado dado forma
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Capacidade da fonte:1000pcs
Tempo de entrega:Dentro 15days
Detalhes de empacotamento:em umas gavetas de únicos recipientes da bolacha
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Shanghai Shanghai China
Endereço: Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes: No 13 Horas
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Detalhes do produto

Substratos sic quadrados personalizados de 10x10mm 5x5mm, wafers sic de 1 polegada, chips de cristal sic, substratos sic semicondutores, wafer SIC 6H-N, wafer de carburo de silício de alta pureza
- O que é isso? - O quê?
Oferecemos materiais semicondutores, especialmente para wafer SiC, substrato SiC de politipo 4H e 6H em diferentes graus de qualidade para pesquisadores e fabricantes industriais.Temos um bom relacionamento com a fábrica de crescimento de cristais de SiC e, nós também possuímos a tecnologia de processamento de wafer SiC, estabeleceu uma linha de produço para fabricantes de substrato SiC e wafer SiC.Como uma empresa profissional investida por fabricantes líderes dos campos de pesquisa de materiais avançados e de alta tecnologia e institutos estatais e Laboratório de Semicondutores da China., estamos dedicados a melhorar continuamente a qualidade da wafer SiC, atualmente substratos e desenvolver substratos de grande porte.
 
Áreas de aplicaço
1 dispositivos eletrónicos de alta frequência e alta potência, diodos Schottky, JFET, BJT, PiN,
Diodos, IGBT, MOSFET
2 Dispositivos optoeletrônicos: utilizados principalmente em materiais de substrato de LEDs GaN/SiC azul (GaN/SiC)
 
Vantagem
• Baixo desajuste de rede• Alta condutividade térmica
 
• Baixo consumo de energia
 
• Excelentes características transitórias
 
• Alta diferença de banda 

 

Substratos e peças personalizados de carburo de silício (SiC), conhecidos pela sua notável dureza de 9,4 na escala de Mohs,so muito procurados para utilizaço numa variedade de aplicações industriais e científicasAs suas excepcionais propriedades mecnicas, térmicas e químicas tornam-nas ideais para ambientes onde a durabilidade e o desempenho em condições extremas so críticos.

  1. Fabricaço de semicondutores: Os substratos de SiC so amplamente utilizados na produço de semicondutores de alta potência e alta temperatura, como MOSFETs, diodos Schottky e inversores de potência.Os tamanhos personalizados de substratos de SiC so particularmente úteis para requisitos específicos de dispositivos em indústrias como energia renovável (inversores solares), automóvel (veículos elétricos) e aeroespacial (aviônica).

  2. Partes de equipamentoA dureza e a resistência ao desgaste do SiC® tornam-no um excelente material para a produço de peças personalizadas utilizadas em máquinas e equipamentos industriais.Deve suportar ambientes de alto stress, calor extremo e substncias corrosivas, tornando essencial a durabilidade e a resistência ao choque térmico do SiC.

  3. Óptica e Fotónica: O SiC é também utilizado na produço de componentes ópticos e espelhos para equipamentos de alta preciso, particularmente em ambientes de alta temperatura.A sua estabilidade térmica garante um desempenho fiável nos instrumentos científicos, lasers e outras aplicações sensíveis.

Em resumo, os substratos e peças personalizados de SiC oferecem dureza incomparável, resistência térmica e inércia química, tornando-os inestimáveis em várias indústrias de alta tecnologia.

 
Dimenso inicial de 2 polegadas para substratos sic

2 polegadas de dimetro de carburo de silício (SiC) Especificaço do substrato 
GrauGrau zero de MPDGrau de produçoGrau de investigaçoGrau de simulaço 
 
Dimetro500,8 mm±0,2 mm 
 
Espessura330 μm±25 μm ou 430±25 μm Ou 1000±25 μm 
 
Orientaço da waferFora do eixo: 4,0° para < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI No eixo: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI 
 
Densidade dos microtubos≤ 0 cm-2≤ 5 cm-2≤ 15 cm-2≤ 100 cm-2 
 
Resistividade4H-N0.015~0.028 Ω•cm 
 
6H-N00,02 a 0,1 Ω•cm 
 
4/6H-SI≥1E5 Ω·cm 
 
Flat primário{10-10} ± 5,0° 
 
Duraço plana primária18.5 mm±2.0 mm 
 
Duraço plana secundária100,0 mm±2,0 mm 
 
Orientaço plana secundáriaSilício virado para cima: 90° CW. a partir de Prime flat ±5,0° 
 
Excluso da borda1 mm 
 
TTV/Bow/Warp≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm 
 
Resistência corrosoRa≤1 nm polaco 
 
CMP Ra≤0,5 nm 
 
Fragmentaço por luz de alta intensidadeNenhum1 permitido, ≤ 2 mmComprimento acumulado ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm 
 
 
Placas hexadecimais por luz de alta intensidadeÁrea acumulada ≤ 1%Área acumulada ≤ 1%Área acumulada ≤ 3% 
 
Áreas de politipo por luz de alta intensidadeNenhumÁrea acumulada ≤ 2%Área acumulada ≤ 5% 
 
 
Riscos causados por luz de alta intensidade3 arranhões para 1 × comprimento acumulado do dimetro da wafer5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do dimetro da wafer5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do dimetro da wafer 
 
 
chip de bordaNenhum3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada5 permitidos, ≤ 1 mm cada 
 
 

tamanho da imagem: 10x10x0,5 mmm,
Tolerncia: ± 0,03 mm
Profundidade de combustível x largura: 0,4 mmx0,5 mm
TÍPO:4H-semicondutores
superfície: polida (ssp ou dsp)
Ra:0.5nm


 

Perguntas frequentes

1Q: Qual é o seu pacote?
R: Fornecemos caixa de filme de adsorço automática como pacote.
2. Q: Qual é o seu prazo de pagamento?
R: O nosso prazo de pagamento é T/T 50% adiantado, 50% antes da entrega.
3P: Como posso obter algumas amostras?
A:Becauce produtos de forma personalizada, esperamos que você possa encomendar min lote como amostra.
4.P:Em quanto tempo conseguimos as amostras?
R: Enviamos as amostras em 10 a 25 dias após a confirmaço.
5. Q: Como é que a sua fábrica se comporta em matéria de controlo de qualidade?
A:A qualidade em primeiro lugar é o nosso lema. Os trabalhadores atribuem sempre grande importncia ao controlo da qualidade a partir de
do início ao fim.

 

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Dureza personalizada da carcaça do carboneto de silicone do tamanho 9,4 sic porções para o equipamento

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