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Substratos sic quadrados personalizados de 10x10mm 5x5mm, wafers
sic de 1 polegada, chips de cristal sic, substratos sic
semicondutores, wafer SIC 6H-N, wafer de carburo de silício de alta
pureza
- O que é isso? - O quê?
Oferecemos materiais semicondutores, especialmente para wafer SiC,
substrato SiC de politipo 4H e 6H em diferentes graus de qualidade
para pesquisadores e fabricantes industriais.Temos um bom
relacionamento com a fábrica de crescimento de cristais de SiC e,
nós também possuímos a tecnologia de processamento de wafer SiC,
estabeleceu uma linha de produço para fabricantes de substrato SiC
e wafer SiC.Como uma empresa profissional investida por fabricantes
líderes dos campos de pesquisa de materiais avançados e de alta
tecnologia e institutos estatais e Laboratório de Semicondutores da
China., estamos dedicados a melhorar continuamente a qualidade da
wafer SiC, atualmente substratos e desenvolver substratos de grande
porte.
Áreas de aplicaço
1 dispositivos eletrónicos de alta frequência e alta potência,
diodos Schottky, JFET, BJT, PiN,
Diodos, IGBT, MOSFET
2 Dispositivos optoeletrônicos: utilizados principalmente em
materiais de substrato de LEDs GaN/SiC azul (GaN/SiC)
Vantagem
• Baixo desajuste de rede• Alta condutividade térmica
• Baixo consumo de energia
• Excelentes características transitórias
• Alta diferença de banda
Substratos e peças personalizados de carburo de silício (SiC), conhecidos pela sua notável dureza de 9,4 na escala de Mohs,so muito procurados para utilizaço numa variedade de aplicações industriais e científicasAs suas excepcionais propriedades mecnicas, térmicas e químicas tornam-nas ideais para ambientes onde a durabilidade e o desempenho em condições extremas so críticos.
Fabricaço de semicondutores: Os substratos de SiC so amplamente utilizados na produço de semicondutores de alta potência e alta temperatura, como MOSFETs, diodos Schottky e inversores de potência.Os tamanhos personalizados de substratos de SiC so particularmente úteis para requisitos específicos de dispositivos em indústrias como energia renovável (inversores solares), automóvel (veículos elétricos) e aeroespacial (aviônica).
Partes de equipamentoA dureza e a resistência ao desgaste do SiC® tornam-no um excelente material para a produço de peças personalizadas utilizadas em máquinas e equipamentos industriais.Deve suportar ambientes de alto stress, calor extremo e substncias corrosivas, tornando essencial a durabilidade e a resistência ao choque térmico do SiC.
Óptica e Fotónica: O SiC é também utilizado na produço de componentes ópticos e espelhos para equipamentos de alta preciso, particularmente em ambientes de alta temperatura.A sua estabilidade térmica garante um desempenho fiável nos instrumentos científicos, lasers e outras aplicações sensíveis.
Em resumo, os substratos e peças personalizados de SiC oferecem dureza incomparável, resistência térmica e inércia química, tornando-os inestimáveis em várias indústrias de alta tecnologia.
Dimenso inicial de 2 polegadas para substratos sic
2 polegadas de dimetro de carburo de silício (SiC) Especificaço do substrato | ||||||||||
Grau | Grau zero de MPD | Grau de produço | Grau de investigaço | Grau de simulaço | ||||||
Dimetro | 500,8 mm±0,2 mm | |||||||||
Espessura | 330 μm±25 μm ou 430±25 μm Ou 1000±25 μm | |||||||||
Orientaço da wafer | Fora do eixo: 4,0° para < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI No eixo: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
Densidade dos microtubos | ≤ 0 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 15 cm-2 | ≤ 100 cm-2 | ||||||
Resistividade | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
6H-N | 00,02 a 0,1 Ω•cm | |||||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
Flat primário | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
Duraço plana primária | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
Duraço plana secundária | 100,0 mm±2,0 mm | |||||||||
Orientaço plana secundária | Silício virado para cima: 90° CW. a partir de Prime flat ±5,0° | |||||||||
Excluso da borda | 1 mm | |||||||||
TTV/Bow/Warp | ≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm | |||||||||
Resistência corroso | Ra≤1 nm polaco | |||||||||
CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
Fragmentaço por luz de alta intensidade | Nenhum | 1 permitido, ≤ 2 mm | Comprimento acumulado ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | |||||||
Placas hexadecimais por luz de alta intensidade | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | |||||||
Áreas de politipo por luz de alta intensidade | Nenhum | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||||
Riscos causados por luz de alta intensidade | 3 arranhões para 1 × comprimento acumulado do dimetro da wafer | 5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do dimetro da wafer | 5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do dimetro da wafer | |||||||
chip de borda | Nenhum | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada | |||||||
tamanho da imagem: 10x10x0,5 mmm,
Tolerncia: ± 0,03 mm
Profundidade de combustível x largura: 0,4 mmx0,5 mm
TÍPO:4H-semicondutores
superfície: polida (ssp ou dsp)
Ra:0.5nm
1Q: Qual é o seu pacote?
R: Fornecemos caixa de filme de adsorço automática como pacote.
2. Q: Qual é o seu prazo de pagamento?
R: O nosso prazo de pagamento é T/T 50% adiantado, 50% antes da
entrega.
3P: Como posso obter algumas amostras?
A:Becauce produtos de forma personalizada, esperamos que você possa
encomendar min lote como amostra.
4.P:Em quanto tempo conseguimos as amostras?
R: Enviamos as amostras em 10 a 25 dias após a confirmaço.
5. Q: Como é que a sua fábrica se comporta em matéria de controlo
de qualidade?
A:A qualidade em primeiro lugar é o nosso lema. Os trabalhadores
atribuem sempre grande importncia ao controlo da qualidade a partir
de
do início ao fim.