2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

Número do modelo:Orifícios de fosfato de ídio
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:5pcs
Condições de pagamento:T/T
Tempo de entrega:em 15 dias
Detalhes da embalagem:caixa personalizada
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2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um


Descriço doWafer InP:


Os chips InP (fosfeto de índio) so um material semicondutor comumente utilizado para a fabricaço de dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho, como fotodiodos, lasers e sensores fotoelétricos.


  • Estrutura cristalina: os chips InP adotam uma estrutura cristalina cúbica com uma estrutura de rede altamente ordenada.

  • Espaço de energia: os chips InP têm um pequeno espaço de energia direta de cerca de 1,35 eV, que é um material semicondutor na faixa de luz visível.

  • Índice de refraço: o índice de refraço de uma wafer InP varia com o comprimento de onda da luz e é de cerca de 3,17 na faixa visível.

  • Conductividade térmica: InP tem uma elevada condutividade térmica de cerca de 0,74 W/ ((cm·K).

  • Mobilidade eletrônica: os chips InP têm uma alta mobilidade eletrônica de cerca de 5000 cm^2/(V·s).

  • Tamanho do chip: Os chips InP so geralmente fornecidos em forma de chip redondo e podem variar em dimetro de alguns milímetros a vários polegadas.

  • Características da superfície: a superfície do chip InP é geralmente especialmente tratada para melhorar a sua planície e limpeza.

Características doWafer InP:


O chip InP (fosfeto de índio) é amplamente utilizado no campo dos dispositivos optoeletrônicos como material de substrato de dispositivos semicondutores.


  • Espaço de energia direta: os chips InP têm um pequeno espaço de energia direta (cerca de 1,35 eV), permitindo que absorvam e emitam sinais de luz na faixa visível de forma eficiente.

  • Alta mobilidade eletrônica: os chips InP têm uma alta mobilidade eletrônica (aproximadamente 5000 cm 2 / V · s), o que os torna exibem excelentes propriedades elétricas em dispositivos eletrônicos de alta velocidade.

  • Forte efeito fotoelétrico: Os chips InP têm um forte efeito fotoelétrico, o que os torna excelentes em dispositivos como fotodetectores e fotodiodos.

  • Estabilidade e confiabilidade: os chips InP possuem boa estabilidade térmica e boas propriedades elétricas, o que lhes permite trabalhar em ambientes de alta temperatura e campo elétrico elevado.

  • Técnicas de preparaço extensas: as wafers InP podem ser cultivadas por uma variedade de técnicas de preparaço, como a deposiço de vapor químico metalo-orgnico (MOCVD) e a epitaxia de feixe molecular (MBE).

Parmetros técnicos deWafer InP:


PontoParmetroOMS
MateriaisInP
Tipo de conduço/DopantS-C-N/S
GrauTonto.
Dimetro100.0+/-0.3mm
Orientaço(100) +/- 0,5°
Área de dupla lamellarÁrea de cristal único útil com orientaço (100) > 80%
Orientaço plana primáriaEJ ((0-1-1)mm
Duraço plana primária32.5+/-1
Orientaço plana secundáriaEJ ((0-11)
Duraço plana secundária18+/-1

Aplicações deWafer InP:


O chip InP (fosfeto de índio), como material de substrato de dispositivos semicondutores, possui excelentes propriedades fotoelétricas e elétricas.Os seguintes so algumas das principais áreas de aplicaço dos materiais de substrato de chips InP:


  • Comunicaço óptica: Pode ser usada para fabricar transmissores de luz (como lasers) e receptores de luz (como fotodiodos) em sistemas de comunicaço de fibra óptica.

  • Detecço e detecço ópticas: os fotodetectores baseados em chips InP podem converter eficientemente sinais ópticos em sinais eléctricos para comunicaço óptica, mediço óptica,análise espectral e outras aplicações.

  • Tecnologia a laser: os lasers baseados em INP so amplamente utilizados em comunicaço óptica, armazenamento óptico, liDAR, diagnóstico médico e processamento de materiais.

  • Circuitos integrados optoeletrônicos: os chips InP podem ser utilizados para fazer circuitos integrados optoeletrônicos (OEics),que é a integraço de dispositivos optoeletrônicos e dispositivos eletrónicos no mesmo chip.

  • Células solares: os chips InP têm uma elevada eficiência de converso fotoelétrica, pelo que podem ser utilizados para fabricar células solares eficientes.


Perguntas frequentes:


Q1: Qual é o nome da marcaWafer InP?
A1: O
Fósforo de ínioé feita pela ZMSH.


Q2: Qual é o dimetro doFósforo de ínio?
A2: Dimetro do
Fósforo de ínioé 2'', 3'', 4''.


Q3: Onde está oFósforo de ínio- De onde?
A3: O
Fósforo de ínioÉ da China.


Q4: É oFósforo de ínioCertificado ROHS?
A4: Sim, o
Fósforo de ínioé certificado ROHS.


Q5: QuantosFósforo de ínioPosso comprar waffles de uma vez?
A5: A quantidade mínima de encomenda do produto
Fósforo de ínioSo 5 peças.


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Óleos de potássio

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