6 "Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers de semicondutores de grau fictício LED 5G grau D

Número do modelo:4H-Semi SIC
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:25pcs
Condições de pagamento:T/T
Tempo de entrega:em 30 dias
Detalhes da embalagem:caixa personalizada
Contate

Add to Cart

Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço: Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes: No 13 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

6 ̊ Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers semicondutores de grau fictício 5G LED


Descriço:


4H-SiC semisolador4H-SIC) é um material especial de carburo de silício.Na estrutura cristalina, o SIC semicondutor 4H tem propriedades semicondutoras, enquanto o carburo de silício semicondutor semicondutor 4H semi-isolado tem características de resistência mais elevadas,que apresentem propriedades semelhantes s dos isoladores.De peso superior a 200 g/m2Carburo de silício semicondutor 4Htem aplicações importantes nasemicondutoresFabricaço de dispositivos, especialmente em aplicações de alta potência e de alta temperatura.Silicio semi-isolado carburopode ser utilizado como resistor, camada de isolamento, ousubstratosPara ajudar a reduzir a interligaço de corrente e as interferências entre dispositivos.4Hindica a estrutura cristalina docarburo de silício.4H-carbono de silícioé uma forma de estrutura cristalina na qual os átomos de silício e carbono formam uma estrutura cristalina estável.


Características:


Características

Descrições

Propriedade de alta temperatura

O carburo de silício semicondutor 4H possui excelentes características de alta temperatura e pode funcionar em ambientes de alta temperatura.

Resistência alta presso

O carburo de silício semicondutor 4H possui alta resistência ao campo elétrico de degradaço e resistência tenso, o que o torna adequado para aplicações de alta tenso, como eletrônica de potência.

Resposta de alta requerencia

O carburo de silício semicondutor 4H possui alta mobilidade eletrônica e características de baixa capacitncia, permitindo comutaço de alta velocidade e converso de potência com baixa perda.

Perda baixa de arranque

O SIC 4H-semi tem uma baixa perda de ligaço-desligaço, ou seja, menos perda de energia no estado condutor, reduzindo a perda de calor na converso de energia.

Alta resistência radiaço

O SIC 4H-semi tem uma alta resistência radiaço e pode manter um desempenho estável em ambientes de alta radiaço.

Boa condutividade térmica

O SIC de 4H-semi tem boa condutividade térmica e pode efetivamente transferir e dispersar calor.

Alta resistência química

O SIC 4H-semi possui alta resistência corroso química e oxidaço para manter um desempenho estável em ambientes adversos.


Parmetros técnicos:



Produço

Investigaço

Tonto.

Tipo

4H

4H

4H

Resistividade ((ohm·cm)

≥ 1E9

100% de área>1E5

70% da área> 1E5

Dimetro

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

Espessura

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

Eixo

<0001>

<0001>

<0001>

TTV

≤ 5 μm

≤ 10 μm

≤ 20 μm

LTV ((5 mm*5 mm)

≤ 3 μm

≤ 5 μm

≤ 10 μm

Incline-se.

-25 μm~25 μm

- 35 μm ~ 35 μm

-45 μm~45 μm

Warp.

≤ 35 μm

≤ 45 μm

≤ 55 μm

Ra ((5um*5um)

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Densidade dos microtubos

≤ 1ea/cm2

≤ 10ea/cm2

≤ 15ea/cm2


Aplicações:


1O substrato 4H-semi SIC de alta pureza pode ser utilizado em dispositivos electrónicos de potência.


2O SIC 4H-semi de alta pureza pode ser usado para fabricar dispositivos optoeletrônicos.


3O SIC de alta pureza 4H-semi pode ser usado como dispositivo de amplificador de potência de alta frequência.


4O SIC de alta pureza 4H-semi pode ser usado para fabricar células solares eficientes.


5O SIC 4H-semi de alta pureza pode ser utilizado para fabricar dispositivos LED (diodos emissores de luz).


6O SIC 4H-semi de alta pureza tem aplicações importantes em dispositivos eletrônicos de alta temperatura.


7. alta pureza 4H-semi SIC pode ser usado pode ser usado para fabricar vários tipos de sensores



Outros produtos conexos:


4H-N SIC:



Perguntas frequentes:


Q: O que é a certificaço deHPSI 4h-semi SIC?

A: A certificaço deHPSI 4h-semi SICé ROHS.


P: Qual é a marca deHPSI 4h-semi SIC?

A: O nome da marcaHPSI 4h-semi SICé ZMSH.


P: Onde é o local de origem deHPSI 4h-semi SIC?

A: O local de origemHPSI 4h-semi SICé a CHINA.


Q: Qual é o MOQ deHPSI 4h-semi SIC por vez?

A: O MOQ deHPSI 4h-semi SICSo 25 peças de cada vez.


China 6 Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers de semicondutores de grau fictício LED 5G grau D supplier

6 "Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers de semicondutores de grau fictício LED 5G grau D

Inquiry Cart 0