6 "Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers de semicondutores de grau fictício LED 5G grau D
Número do modelo:4H-Semi SIC
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:25pcs
Condições de pagamento:T/T
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6 ̊ Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers semicondutores de grau fictício 5G LED
Descriço:
4H-SiC semisolador4H-SIC) é um material especial de carburo de silício.Na estrutura cristalina, o SIC semicondutor 4H tem propriedades semicondutoras, enquanto o carburo de silício semicondutor semicondutor 4H semi-isolado tem características de resistência mais elevadas,que apresentem propriedades semelhantes s dos isoladores.De peso superior a 200 g/m2Carburo de silício semicondutor 4Htem aplicações importantes nasemicondutoresFabricaço de dispositivos, especialmente em aplicações de alta potência e de alta temperatura.Silicio semi-isolado carburopode ser utilizado como resistor, camada de isolamento, ousubstratosPara ajudar a reduzir a interligaço de corrente e as interferências entre dispositivos.4Hindica a estrutura cristalina docarburo de silício.4H-carbono de silícioé uma forma de estrutura cristalina na qual os átomos de silício e carbono formam uma estrutura cristalina estável.
Características:
Características | Descrições |
Propriedade de alta temperatura | O carburo de silício semicondutor 4H possui excelentes características de alta temperatura e pode funcionar em ambientes de alta temperatura. |
Resistência alta presso | O carburo de silício semicondutor 4H possui alta resistência ao campo elétrico de degradaço e resistência tenso, o que o torna adequado para aplicações de alta tenso, como eletrônica de potência. |
Resposta de alta requerencia | O carburo de silício semicondutor 4H possui alta mobilidade eletrônica e características de baixa capacitncia, permitindo comutaço de alta velocidade e converso de potência com baixa perda. |
Perda baixa de arranque | O SIC 4H-semi tem uma baixa perda de ligaço-desligaço, ou seja, menos perda de energia no estado condutor, reduzindo a perda de calor na converso de energia. |
Alta resistência radiaço | O SIC 4H-semi tem uma alta resistência radiaço e pode manter um desempenho estável em ambientes de alta radiaço. |
Boa condutividade térmica | O SIC de 4H-semi tem boa condutividade térmica e pode efetivamente transferir e dispersar calor. |
Alta resistência química | O SIC 4H-semi possui alta resistência corroso química e oxidaço para manter um desempenho estável em ambientes adversos. |
Parmetros técnicos:
Produço | Investigaço | Tonto. | |
Tipo | 4H | 4H | 4H |
Resistividade ((ohm·cm) | ≥ 1E9 | 100% de área>1E5 | 70% da área> 1E5 |
Dimetro | 150 ± 0,2 mm | 150 ± 0,2 mm | 150 ± 0,2 mm |
Espessura | 500 ± 25 μm | 500 ± 25 μm | 500 ± 25 μm |
Eixo | <0001> | <0001> | <0001> |
TTV | ≤ 5 μm | ≤ 10 μm | ≤ 20 μm |
LTV ((5 mm*5 mm) | ≤ 3 μm | ≤ 5 μm | ≤ 10 μm |
Incline-se. | -25 μm~25 μm | - 35 μm ~ 35 μm | -45 μm~45 μm |
Warp. | ≤ 35 μm | ≤ 45 μm | ≤ 55 μm |
Ra ((5um*5um) | Ra≤0,2 nm | Ra≤0,2 nm | Ra≤0,2 nm |
Densidade dos microtubos | ≤ 1ea/cm2 | ≤ 10ea/cm2 | ≤ 15ea/cm2 |
Aplicações:
1O substrato 4H-semi SIC de alta pureza pode ser utilizado em
dispositivos electrónicos de potência.
2O SIC 4H-semi de alta pureza pode ser usado para fabricar
dispositivos optoeletrônicos.
3O SIC de alta pureza 4H-semi pode ser usado como dispositivo de
amplificador de potência de alta frequência.
4O SIC de alta pureza 4H-semi pode ser usado para fabricar células solares eficientes.
5O SIC 4H-semi de alta pureza pode ser utilizado para fabricar
dispositivos LED (diodos emissores de luz).
6O SIC 4H-semi de alta pureza tem aplicações importantes em
dispositivos eletrônicos de alta temperatura.
7. alta pureza 4H-semi SIC pode ser usado pode ser usado para
fabricar vários tipos de sensores
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Perguntas frequentes:
Q: O que é a certificaço deHPSI 4h-semi SIC?
A: A certificaço deHPSI 4h-semi SICé ROHS.
P: Qual é a marca deHPSI 4h-semi SIC?
A: O nome da marcaHPSI 4h-semi SICé ZMSH.
P: Onde é o local de origem deHPSI 4h-semi SIC?
A: O local de origemHPSI 4h-semi SICé a CHINA.
Q: Qual é o MOQ deHPSI 4h-semi SIC por vez?
A: O MOQ deHPSI 4h-semi SICSo 25 peças de cada vez.
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