2" InSb-Te EPI Substratos Semicondutores de banda estreita Substratos Hall Componentes
Número do modelo:Substratos InSb-Te
Local de origem:China
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2 ¢ InSb-Te EPI Substratos Intervalo de banda estreita Semicondutores Substratos Hall Componentes
Descriço do InSb-Te:
Antimoneto de ínio (InSb), como uma espécie de material de semicondutor composto binário do grupo III-V, tem sido objecto de investigaço no domínio dasemicondutoresA InSb é um dos materiais mais importantes do mundo desde a sua descoberta, com propriedades físicas e químicas estáveis e excelente compatibilidade de processo.espaço de banda estreita, uma massa efectiva de elétrons muito pequena e uma mobilidade de elétrons muito elevada, especialmente notável é que pertence absorço intrínseca na faixa espectral de3-5 μm, com quase 100% de eficiência quntica, tornando-se o material preferido para a preparaço de ondas médiasDetectores de infravermelhos, e as perspectivas de aplicaço e a procura comercial so enormes.e a estrutura da camada de elétrons de valência também está próxima uma da outra. o átomo é dopado como um substituto para substituir o carbono no cristal e desempenha o papel de doador.CZ-pullO método pode ser utilizado para preparar materiais de corpo insb com uma certa concentraço de te doping e a adiço de te pode alterar o tipo condutor dos cristais insb,e também teve um impacto importante nas propriedades elétricas e ópticas dos materiaisOs estudos relevantes lançaram as bases experimentais para o crescimento espacial deTe dopado InSb.
Características do InSb-Te:
| Alta concentraço de transportadores | Tem maior condutividade elétrica e baixa resistividade em dispositivos eletrônicos. |
| Alta mobilidade dos portadores | Descreve os portadores num material para se moverem sob um campo elétrico. |
| Determinar a natureza | A dopagem com telúrio pode aumentar o calor dos materiais cristalinos InSb. |
| Absorço de luz | A dopagem com telúrio pode alterar a estrutura dos cristais InSb. |
| Emisso luminosa | O Te-dopado InSb pode ser estimulado para produzir emisso de luz
por Excitaço externa ou injecço de elétrons. |
| Compatibilidade | O substrato InSb dopado com TE possui boa compatibilidade de rede com outros semicondutores. |
| Estabilidade térmica | A dopagem com telúrio pode melhorar a estabilidade térmica dos materiais InSb. |
| Propriedade óptica | A dopagem com telúrio também tem um certo efeito sobre As propriedades ópticas dos materiais InSb |
Parmetros técnicos do InSb-Te:
Parmetro | InSb-Te-2in-510um-PP |
Método de crescimento | CZ |
Suplementos | Te |
Orientaço | (111) +/- 0,5° |
ngulo de orientaço | N/A |
Arredondamento das bordas | 0.25 |
Dimetro | 50.5+/-0.5 |
Espessura | 510+/-25 |
DE orientaço | EJ[01-1]+/- 0,5° |
DE comprimento | 16+/-2 |
Orientaço do IF | EJ[01-1]+/- 0,5° |
IF comprimento | 8+/-1 |
CC | |
Mobilidade | > 100000@77K |
EPD-AVE | ≤ 50 |
TTV | ≤ 10 |
TIR | ≤ 10 |
Arco-íris | ≤ 10 |
Warp. | ≤ 15 |
Superfície frontal | Polido |
Superfície lateral traseira | Polido |
Pachaging | Caixa única |
Aplicações do InSb-Te:
1Dispositivos electrónicos de alta velocidade: os cristais InSb dopados com telúrio também têm potencial em dispositivos electrónicos de alta velocidade.
2Dispositivos de estrutura quntica: Os cristais InSb dopados com Te podem ser utilizados para preparar dispositivos de estrutura quntica, tais como
Poços qunticos e dispositivos de pontos qunticos.
3Dispositivos optoelectrónicos: Os cristais InSb dopados com Te podem ser utilizados para preparar vários dispositivos optoelectrónicos, tais como
Outros aparelhos e aparelhos de televiso
4Detector infravermelho: Os cristais InSb dopados com Te podem ser utilizados para preparar detectores infravermelhos de alto desempenho.
A dopagem com telúrio pode aumentar a concentraço e a mobilidade dos portadores.
5• Laser infravermelhos: Os cristais InSb dopados com Te têm também potencial de aplicaço no campo dos lasers infravermelhos.
A estrutura de banda dos cristais INSB pode realizar o trabalho dos lasers infravermelhos.
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Perguntas frequentes:
P: Qual é a marca deTe-InSb?
A: O nome da marcaTe-InSbé ZMSH.
Q: O que é a certificaço deTe-InSb?
A: A certificaço deTe-InSbé ROHS.
P: Onde é o local de origem deTe-InSb?
A: O local de origemTe-InSbé a CHINA.
Q: Qual é o MOQ deTe-InSb numa só vez?
A: O MOQ deTe-InSbSo 25 peças de cada vez.
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