3 "Wafers InSb desmontados Detector IR Sensor de imagem térmica fotodiodo 85 GHz
Número do modelo:InSb Wafers
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:25pcs
Condições de pagamento:T/T
Tempo de entrega:em 30 dias
Detalhes da embalagem:caixa personalizada
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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3 ̊ Wafers InSb desdobrados Detector IR Sensor de imagem térmica fotodiodo 85 GHz
Descriço:
1O antimoneto de ínio é um material semicondutor de banda direta que pertence ao espectro infravermelho.
2O antimoneto de ínio (InSb) é um material semicondutor composto constituído por elementos de ínio (In) e antimónio (Sb).
3O antimoneto de ínio também tem alta mobilidade de transportador e características de baixo ruído em eletrônicos de alta velocidade e amplificadores de baixo ruído.
4A sua fórmula química é InSb. O antimoneto de ínio é um importante material semicondutor com propriedades electrónicas e ópticas especiais.
por isso tem uma ampla gama de aplicações no campo da optoelectrónica e electrónica.
5Além disso, o antimoneto de ínio também pode ser usado em dispositivos de efeito quntico, como estruturas de poços qunticos e dispositivos de pontos qunticos.
devido s suas excelentes propriedades qunticas, como efeitos de limitaço quntica e propriedades de ajuste quntico.
Características:
1Resposta rápida: O detector InSb tem um tempo de resposta rápido e
pode capturar alterações nos sinais de radiaço infravermelha em
tempo real.
2Baixo ruído: os materiais InSb têm baixos níveis de ruído, o que
pode fornecer imagens infravermelhas claras e informações espectral
precisas.
3Alta sensibilidade: O material InSb tem uma elevada sensibilidade
na faixa infravermelha média, que pode efetivamente detectar e
converter radiaço infravermelha.
4Funço a baixas temperaturas: os detectores InSb necessitam
geralmente de funcionar a temperaturas mais baixas, geralmente
abaixo de 77 K (temperatura do nitrogénio líquido)
5- Ampla faixa de radiaço: os materiais InSb têm uma ampla gama de
induço de radiaço infravermelha,que pode cobrir a faixa
infravermelha média (normalmente 2-5 microns) e parte da faixa
infravermelha de ondas longas (até cerca de 10 microns).
Parmetros técnicos:
| Cristais simples | InSb |
| Dimetro | 2 ̊ 3 ̊ ((+/- 0,3 mm) |
| Espessura | 500/600 ((+/-25um) |
| Suplementos | Nenhum |
| Tipo de conduço | N |
| Concentraço do transportador ((cm-3) | 3E15 |
| Densidade de deslocaço ((cm-2) | < 2*102 |
| Constante de rede | 0.648nm |
| Peso Molecular | 236.58 |
| Ponto de fuso | 527°C |
| densidade | 50,78 g/cm3 |
| Espaço de banda | 0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
Aplicações:
| Imagem infravermelha | Os materiais cristalinos InSb so amplamente utilizados em imagens infravermelhas. |
| Dispositivo eletrónico de alta velocidade | Devido sua elevada mobilidade e baixa qualidade electrónica, podem ser utilizadas para fabricar dispositivos electrónicos de alta velocidade. |
| Espectômetros e ópticas | Os materiais cristalinos InSb so amplamente utilizados no fabrico
de infravermelhos detectores de radiaço. |
| Análise espectral | Os materiais cristalinos InSb podem ser utilizados para análise espectral infravermelha devido sua transparência e alta sensibilidade na faixa infravermelha. |
| Dispositivo de poço quntico | Usando a estrutura de poço quntico do chip InSb, uma série de dispositivos de poço quntico podem ser fabricados |
| Detecço de radiaço | Os materiais cristalinos InSb so amplamente utilizados no fabrico
de infravermelhos detectores de radiaço. |
| Material termoelétrico | Os chips InSb so capazes de converter energia térmica em eletricidade para aplicações, como geraço de energia termoelétrica e mediço de temperatura. |
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Perguntas frequentes:
Q: O que é a certificaço deTe-InSb?
A: A certificaço deTe-InSbé ROHS.
P: Qual é a marca deTe-InSb?
A: O nome da marcaTe-InSbé ZMSH.
P: Onde é o local de origem deTe-InSb?
A: O local de origemTe-InSbé a CHINA.
Q: Qual é o MOQ deTe-InSb numa só vez?
A: O MOQ deTe-InSbSo 25 peças de cada vez.
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