2 "S Doped GaP Semiconductor EPI Wafer N Tipo P Tipo 250um 300um Diodos Emitentes de Luz

2 ̊ S Dopped GaP Semiconductor EPI Wafer N Tipo P Tipo 250um 300um Diodos Emitentes de Luz

Descriço:

O fosfeto de gálio (GaP) é um composto do grupo III-V. A aparência é cristal transparente vermelho-laranja.Diodos emissores de luz verdes e laranjas de brilho baixo a médioA sua vida é mais curta em correntes elevadas, e a sua vida é também bastante sensível temperatura.O fosfeto de gálio (GaP) é um composto inorgnico e um material semicondutor com uma diferença de energia indireta de 2.26eV (300K). Seu material policristalino é laranja claro. O fosfeto de gálio é inodoro e no se dissolve em água. Para se tornar um semicondutor de tipo N, enxofre ou telúrio devem ser dopados,e para fazer um semicondutor tipo P, o zinco deve ser dopado.

Características:

Material semicondutor Fosfeto de gálio (Gap), é composto de gálio (Ga) e fósforo (P) sintético de compostos semicondutores do grupo iii-v, temperatura ambiente,A sua maior pureza é o sólido transparente vermelho-laranjaO fosfeto de gálio é um material importante para a produço de dispositivos semicondutores de emisso de luz visível, utilizados principalmente para a fabricaço de retificadores, transistores, guias de luz,Diodo laser e elementos de arrefecimentoO fosfeto de gálio e o arsenieto de gálio so semicondutores com propriedades eletroluminescentes e so os chamados semicondutores de terceira geraço, depois do germnio e do silício.O arseneto de gálio LED tem alta eficiência quntica, estrutura de dispositivo compacta e simples, alta resistência mecnica e longa vida útil, e pode ser usado em "telefone óptico".

Parmetros:

Aplicaço:

O fosfeto de ínio (InP) é um composto III ~ V com estrutura cristalina de esfarerita, constante de rede de 5,87 × 10-10 m, lacuna de banda de 1,34 eV e mobilidade de 3000 ~ 4500 cm 2 / (V.S) temperatura ambiente.Os cristais InP têm muitas vantagens, tais como alta velocidade de deriva de elétrons saturados, forte resistência radiaço, boa condutividade térmica e alta eficiência de converso fotoelétrica, e so amplamente utilizados na comunicaço óptica,Dispositivos de ondas milimétricas de alta frequênciaNo futuro, a procura de componentes irá ligar as aplicações das comunicações 5G,Eletrónica e comunicações ópticas para automóveis com características de alta velocidade, alta frequência e alta potência, e a segunda e terceira geraço de semicondutores compostos devem romper a Lei de Moore dos semicondutores de silício.

Outros produtos:

Orifícios de GaAs:

Perguntas frequentes

P: Qual é a marca deS Dopped GaP?

A: O nome da marcaS Dopped GaPé ZMSH.

Q: O que é a certificaço deS Dopped GaP?

A: A certificaço deS Dopped GaPé ROHS.

P: Onde é o local de origem deS Dopped GaP?

A: O local de origemS Dopped GaPé a CHINA.

Q: Qual é o MOQ deS Dopped GaP ao mesmo tempo?

A: O MOQ deS Dopped GaPSo 25 peças de cada vez.