GaP Wafers semi-isolados P Tipo N Tipo 400um 500um Verde LED Vermelho Verde Emissão de luz

GaP Wafers semi-isolados P Tipo N Tipo 400um 500um Verde LED Vermelho Verde Emisso de luz

Descriço:

O fosfeto de gálio é um material semicondutor comumente utilizado, que possui as características de alta condutividade e alta eficiência de converso fotoelétrica.O fosfeto de gálio pode ser utilizado no fabrico de células solaresO fosfeto de gálio (GaP) é um material fotónico importante que é utilizado há muito tempo como material ativo em diodos emissores de luz verde.O GaP é uma lacuna de banda indirecta (2.26 eV) semicondutor com um elevado índice de refraço (n> 3) e no linear de terceira ordem, e transparente na faixa de comprimento de onda de 450 nm a 11 μm.como um cristal no centrosimétrico com um grande coeficiente piezoelétrico no linear de segunda ordem e no nulo, é bem adequado para futuras aplicações fotónicas integradas nas bandas visível, infravermelho próximo, telecomunicações e infravermelho médio.

Características:
Gallium Phosphide GaP, um semicondutor importante de propriedades elétricas únicas como outros materiais compostos III-V, cristaliza na estrutura cúbica ZB termodinmicamente estável,é um material cristalino semitransparente de cor laranja-amarelo com um intervalo de banda indireta de 2.26 eV (300K), que é sintetizado a partir de gálio e fósforo de alta pureza de 6N 7N, e transformado em cristal único pela técnica Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).O cristal de fosfeto de gálio é dopado com enxofre ou telúrio para obter um semicondutor de tipo n, e zinco dopado como condutividade de tipo p para fabricaço posterior em wafer desejado, que tem aplicações em sistemas ópticos, dispositivos eletrônicos e outros optoeletrônicos.A bolacha GaP de cristal único pode ser preparada Epi-Ready para o seu LPEAplicaço epitaxial de MOCVD e MBE.A condutividade n-tipo ou no dopada na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecida em tamanho 2′′ e 3′′ (50mm), 75 mm de dimetro), orientaço < 100>, < 111> com acabamento de superfície de processo de corte, polir ou epi-pronto.

Parmetros técnicos:

Aplicações:

Dispositivos de iluminaço LED: O GaP serve como um material LED utilizado em dispositivos de iluminaço e exibiço.

Células solares: utilizadas na fabricaço de painéis solares para converter a energia solar em energia elétrica.

Instrumentos analíticos espectral: utilizados em laboratórios e pesquisa científica para análise espectral óptica.

Amplificadores semicondutores: aplicados em amplificadores e circuitos integrados para aplicações de RF e microondas.

Fotodetectores: Utilizados em sensores ópticos e detectores para medições ópticas e aplicações de detecço.

Dispositivos RF de microondas: aplicados em circuitos de alta frequência e microondas como componentes de alto desempenho.

Dispositivos electrónicos de alta temperatura: utilizados em dispositivos electrónicos que operam em ambientes de alta temperatura.

Dispositivos eletrônicos de alta frequência: empregados em sistemas eletrônicos de alta frequência, como amplificadores de potência de RF.

Outros produtos:

Wafer GaN:

Perguntas frequentes:

Q: Qual é a marca doWafers semi-isoladas GaP?

A: A marca do produtoWafers semi-isoladas GaPé ZMSH.

Q: O que é a certificaço doWafers semi-isoladas GaP?

A: A certificaço doWafers semi-isoladas GaPé ROHS.

P: Onde se encontra o local de origem doWafers semi-isoladas GaP?

A: O local de origem doWafers semi-isoladas GaPé a CHINA.

Q: Qual é o MOQ doWafers semi-isoladas GaP por vez?

A: O MOQ doWafers semi-isoladas GaPSo 25 peças de cada vez.