Opção de substrato de carburo de silício (SiC) para aplicações industriais de alto padrão

Opço de substrato de carburo de silício (SiC) para aplicações industriais de alto padro

Descriço do produto:

Este produto é livre de dopantes, o que o torna ideal para uma ampla gama de aplicações.Oferecemos placas personalizadas com formas personalizadas para atender s suas necessidades específicasPode ter paz de espírito sabendo que os nossos substratos de SiC vo exceder as suas expectativas.

Os nossos substratos de SiC têm uma condutividade térmica de 4,9 W/mK, tornando-os altamente eficientes na dissipaço de calor.Como o sobreaquecimento pode danificar componentes delicadosCom os nossos substratos de SiC, pode ter a certeza de que os seus dispositivos permanecero frescos mesmo sob uso intenso.

A rugosidade da superfície dos nossos substratos de SiC é Ra<0,5nm, garantindo uma superfície lisa e uniforme.onde mesmo as menores imperfeições podem afetar negativamente o desempenho do dispositivoCom os nossos substratos de SiC, pode ter a certeza de que os seus dispositivos sero da mais alta qualidade.

Os nossos substratos de SiC têm um coeficiente de expanso térmica de 4,5 x 10-6/K. Isto torna-os altamente estáveis e resistentes a alterações de temperatura.Você pode ter certeza de que seus dispositivos mantero seu desempenho mesmo em condições extremas.

Na nossa empresa, compreendemos que cada projeto é único. É por isso que oferecemos placas personalizadas com formas personalizadas para atender s suas necessidades específicas.uma placa retangular ou uma placa grande, de forma irregular, podemos entregar o substrato de SiC de que precisa.

Em concluso, o nosso produto SiC Substrate é a escolha ideal para quem procura wafers de carburo de silício de alto desempenho e confiável.condutividade térmica de 4.9 W/mK, rugosidade de superfície de Ra<0.5nm e coeficiente de expanso térmica de 4.5 X 10-6/K, nossos substratos de SiC oferecem desempenho de primeira linha mesmo nas aplicações mais exigentes.Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nossas placas de tamanho personalizado e formas personalizadas.

Características:

• Nome do produto: Substrato de SiC
• Superfície: DSP
• Wafers de carburo de silício: Wafers SIC 4H-N, CMP de face Si, Mp de face C
• Roughness da superfície: Ra < 0,5 nm
• Resistividade:0.015~0.028 ohm.cm,Ou >1E7ohm.cm
• Conductividade térmica: 4,9 W/mK
• Flatitude da superfície: λ/10@632,8 nm

Aplicações:

A constante dielétrica do ZMSH SIC010 é 9.7O coeficiente de expanso térmica é de 4,5 X 10-6/K. Estes atributos tornam-no um produto confiável para várias aplicações.

O ZMSH SIC010 pode ser usado em diferentes ocasiões e cenários. É adequado para o corte a laser sic, que é um processo que usa um laser para cortar vários materiais, incluindo substratos de SiC.Este produto é perfeito para esta aplicaço devido sua alta resistência compresso e coeficiente de expanso térmica.

O tamanho deste produto pode ser personalizado de acordo com os requisitos do cliente. Pode ser usado na fabricaço de substratos de SiC de 1x1cm ou 0,5x0,5mm.A wafer HPSI sic de 4h pode ser fabricada usando ZMSH SIC010Este tipo de wafer tem um alto nível de pureza e é usado na produço de dispositivos eletrônicos, como dispositivos de energia, sensores e LEDs.

Personalizaço:

Embalagem e transporte:

Embalagem do produto:

• O substrato de SiC será embalado numa caixa de papelo resistente para garantir o transporte seguro.
• O substrato será colocado num recipiente de plástico para evitar danos durante o transporte.
• O recipiente será rotulado com o nome e o código do produto, bem como instruções de manuseio.

Transporte marítimo:

• O substrato de SiC será enviado através de um serviço de correio fiável para garantir a entrega atempada.
• O substrato será devidamente rotulado com todas as informações de envio necessárias, incluindo o endereço e os dados de contacto do destinatário.
• A documentaço aduaneira necessária deve ser acompanhada da remessa.
• Os clientes recebero um número de rastreamento para monitorizar o progresso da sua remessa.