2 polegadas SIC Silicon Carbide Wafer Tipo 4H-N Para MOS Dispositivo Dia 0.4mm

2 polegadas SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Para Dispositivo MOS Dia 0.4mm

Introduço do produto

O substrato de cristal único de carburo de silício (SiC) de tipo 4H n é um material semicondutor crítico amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de potência, dispositivos de radiofrequência (RF) e dispositivos optoeletrônicos.Este artigo apresenta uma viso geral das técnicas de fabrico, características estruturais, áreas de aplicaço e avanços em curso da investigaço relacionados com o substrato de carburo de silício monocristalino de tipo 4H n.

Para começar, vários métodos para preparar o substrato de cristal único de carburo de silício de tipo 4H n so discutidos.e separaço assistida por laser (LAS)Cada técnica tem um impacto na qualidade do cristal, na morfologia da superfície e no custo-benefício do substrato.

Em seguida, o artigo explora as características estruturais do substrato de cristal único de carburo de silício de tipo 4H n. Isto inclui uma análise da estrutura cristalina,Distribuiço das concentrações de impurezasOs substratos monocristalinos de carburo de silício de tipo 4H n de alta qualidade apresentam uma qualidade cristalina superior e concentrações de impurezas mais baixas,que so cruciais para melhorar o desempenho do dispositivo.

As aplicações do substrato de cristal único de carburo de silício de tipo 4H n em dispositivos eletrônicos de potência, dispositivos de RF e dispositivos optoeletrônicos so ento discutidas.Estabilidade térmica excepcional do substrato, propriedades elétricas, e banda larga o tornam altamente adequado para vários dispositivos.

Por fim, o artigo resume os progressos da investigaço atual sobre substratos de cristal único de carburo de silício de tipo 4H n e descreve as direcções futuras.Espera-se que o substrato monocristalino de carburo de silício de tipo 4H n desempenhe um papel fundamental numa gama mais ampla de aplicações., apoiando a melhoria e a inovaço dos dispositivos electrónicos.

Parmetro do produto

Exibiço do produto

Principais características do produto

O carburo de silício (SiC) surgiu como um material revolucionário no domínio da tecnologia de semicondutores, e o substrato SiC de tipo 4H n destaca-se como um componente fundamental com características distintas.Este substrato, caracterizado pela sua estrutura cristalina hexagonal e condutividade de tipo n, apresenta uma multiplicidade de características-chave que contribuem para a sua utilizaço generalizada em várias aplicações eletrónicas.

• Estrutura de cristal hexagonal:

O substrato 4H SiC possui um arranjo de rede cristalina hexagonal, um atributo estrutural que confere propriedades elétricas e térmicas únicas ao material.Esta estrutura cristalina é crucial para alcançar dispositivos eletrônicos de alto desempenho.

• Alta mobilidade de elétrons:

Uma das características destacadas do substrato SiC de tipo 4H n é a sua excepcional mobilidade eletrônica.contribuindo para a eficiência do substrato em aplicações de alta frequência e alta potência.

• Ampla banda:

A ampla distncia de banda do SiC, resultado da sua estrutura cristalina hexagonal, é uma característica chave que melhora o desempenho do substrato.A ampla distncia de banda permite a criaço de dispositivos capazes de operar a temperaturas elevadas e em ambientes adversos.

• Conductividade do tipo N:

O substrato 4H SiC é especificamente dopado para exibir condutividade de tipo n, o que significa que tem um excesso de elétrons como portadores de carga.Este tipo de dopagem é essencial para certas aplicações de dispositivos semicondutores, incluindo dispositivos eletrónicos de potência e RF.

• Alta tenso de ruptura:

A capacidade inerente do material de suportar campos elétricos elevados sem avaria é uma característica crítica para dispositivos de energia.A alta tenso de ruptura do substrato SiC de tipo 4H n é fundamental para garantir a fiabilidade e durabilidade dos componentes eletrónicos.

• Conductividade térmica:

Os substratos de SiC demonstram uma excelente condutividade térmica, tornando-os adequados para aplicações em que a dissipaço eficiente do calor é crucial.Esta característica é particularmente vantajosa em dispositivos electrónicos de potência, onde é essencial minimizar a resistência térmica.

• Estabilidade química e mecnica:

O substrato SiC de tipo 4H n apresenta uma robusta estabilidade química e mecnica, tornando-o adequado para aplicações em condições de funcionamento adversas.Esta estabilidade contribui para a longevidade e confiabilidade do substrato em vários ambientes..

• Transparência óptica:

Além das suas propriedades eletrónicas, o substrato 4H SiC também possui transparência óptica em faixas de comprimento de onda específicas.Esta propriedade é vantajosa para aplicações como a optoeletrónica e certas tecnologias de sensores.

• Versatilidade na fabricaço de dispositivos:

A combinaço única das propriedades do substrato 4H SiC permite a fabricaço de diversos dispositivos eletrônicos, incluindo MOSFETs de potência, diodos Schottky e dispositivos de RF de alta frequência.A sua versatilidade contribui para a sua ampla adopço em diferentes domínios tecnológicos.

• Avanços na investigaço e desenvolvimento:

Os esforços contínuos de investigaço e desenvolvimento no domínio da tecnologia de SiC esto a conduzir a avanços nas principais características dos substratos de SiC de tipo 4H n.As inovações em curso visam melhorar ainda mais o desempenho, a fiabilidade e a gama de aplicações destes substratos.

Em concluso, o substrato SiC de tipo 4H n serve como pedra angular na evoluço da tecnologia de semicondutores,Proporcionar um espectro de características essenciais que o tornam indispensável para dispositivos eletrónicos de alto desempenhoA sua estrutura cristalina hexagonal, alta mobilidade dos elétrons, largos intervalos de banda e outros atributos distintivos posicionam-na como um material líder para avançar tecnologias em electrónica de potência, dispositivos de RF,e além.