Wafer de 4 polegadas de Si Dia 100mm Espessura 350um Orientação <100> DSP SSP Wafer de silício personalizado tipo N tipo P
Número do modelo:BOLACHA DO SI
Local de origem:China
Condições de pagamento:T/T
Prazo de entrega:4-6 semanas
Materiais:Si cristal único
Tamanho:4 polegadas
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Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
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Características da bolacha de Si
- utilizaçoMonocristalhos de silíciopara produzir, com alta pureza, 99,999%
- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos
- a resistividade varia muito de acordo com o tipo dopado
- pode ser de tipo P (com boro) ou de tipo N (com fósforo ou arsénio)
- amplamente utilizados em áreas de alta tecnologia, como ICs, dispositivos fotovoltaicos e MEMS
Descriço da bolacha de Si
Os wafers de silício so discos finos e planos feitos de silício monocristalino altamente purificado e so amplamente utilizados na indústria de semicondutores.
Estas placas so o substrato básico para a fabricaço de circuitos integrados e uma variedade de dispositivos eletrônicos.
Os wafers de silício variam tipicamente de 2 polegadas (50 mm) a 12 polegadas (300 mm) de dimetro, e sua espessura varia dependendo do tamanho, tipicamente entre 200 μm e 775 μm.
As bolinhas de silício so fabricadas usando os métodos Czochralski ou Float-Zone e so polidas cuidadosamente para obter uma superfície espelhada com uma rugosidade mínima.Podem ser dopados com elementos como boro (tipo P) ou fósforo (tipo N) para modificar as suas propriedades elétricas.
As principais propriedades incluem alta condutividade térmica, baixo coeficiente de expanso térmica e excelente resistência mecnica.
As wafers também podem ter camadas epitaxial ou camadas finas de dióxido de silício para melhorar as propriedades elétricas e o isolamento.
Eles so processados e manuseados em um ambiente de sala limpa para manter a pureza, garantindo alto rendimento e confiabilidade na fabricaço de semicondutores.
Mais sobre a bolacha de Si
| Método de crescimento | Czochralski ((CZ), zona flutuante ((FZ) | ||
| Estrutura cristalina | Quadrado | ||
| Espaçamento da banda | 1.12 eV | ||
| Densidade | 2.4 g/cm3 | ||
| Ponto de fuso | 1420°C | ||
| Tipo de dopante | No dopados | Com dopagem por boro | Fós-dopado / As-dopado |
| Tipo condutivo | Intrínseco | Tipo P | Tipo N |
| Resistividade | > 1000 Ωcm | 0.001~100 Ωcm | 0.001~100 Ωcm |
| EPD | < 100 /cm2 | < 100/cm2 | < 100/cm2 |
| Teor de oxigénio | ≤ 1x1018 /cm3 | ||
| Teor de carbono | ≤ 5x1016 /cm3 | ||
| Espessura | 150 mm, 200 mm, 350 mm, 500 mm ou outros | ||
| Poluiço | de peso superior a 200 g/m2, mas no superior a 300 g/m2 | ||
| Orientaço cristalina | <100>, <110>, <111> ± 0,5o ou outros ngulos fora do normal | ||
| A rugosidade da superfície | Ra≤5Å ((5μmx5μm) | ||
Amostragens da bolacha de Si
* Se tiver outros requisitos, por favor, no hesite em contactar-nos para personalizá-los.
Sobre nós
A nossa empresa, ZMSH, é especializada na investigaço, produço,
processamento e venda de substratos de semicondutores e materiais
de cristal óptico.
Temos uma equipa de engenheiros experientes, conhecimentos de
gesto, equipamento de processamento de preciso e instrumentos de
teste,fornecendo-nos capacidades extremamente fortes no
processamento de produtos no-padro.
Podemos pesquisar, desenvolver e projetar vários novos produtos de
acordo com as necessidades do cliente.
A empresa aderirá ao princípio de "centrada no cliente, baseada na
qualidade" e se esforçará para se tornar uma empresa de alta
tecnologia de primeira linha no campo dos materiais
optoeletrônicos.
Perguntas frequentes
1. P: Qual a diferença entre tipo P e tipo N de wafers de Si?
R: As wafers de silício do tipo P têm buracos como os principais portadores de carga, enquanto as wafers do tipo N têm elétrons, com diferenças mínimas em outras propriedades físicas como a resistividade.
2. P: Wafer Si, Wafer SiO2 e Wafer SiC, quais so as principais diferenças entre eles?
A: As wafers de silício (Si) so substratos de silício puro utilizados principalmente em dispositivos semicondutores,
As bolinhas de SiO2 têm uma camada de dióxido de silício na superfície, muitas vezes usada como uma camada isolante.
As bolinhas de carburo de silício (SiC) so compostas por um composto de silício e carbono, oferecendo maior condutividade térmica e durabilidade,com um dimetro superior a 30 mm,.
Wafer de 4 polegadas de Si Dia 100mm Espessura 350um Orientação <100> DSP SSP Wafer de silício personalizado tipo N tipo P
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