GaAs Laser Epitaxial Wafer Gallium Arsenide Wafer VCSEL/PD Wafer Expitaxial para detecção inteligente

Características da Wafer Epitaxial a Laser GaAs

- utilizam as bolhas de GaAs para a fabricaço de

- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos

- bandgap direto, emite luz de forma eficiente, usado em lasers.

- na faixa de comprimento de onda de 0,7 μm a 0,9 μm, estruturas de poços qunticos

- utilizando técnicas como MOCVD ou MBE, gravaço, metalizaço e embalagem para obter a forma final do dispositivo

Descriço da bolacha epitaxial a laser GaAs

A bolacha epitaxial de arsênio de gálio (GaAs) é um material semicondutor importante, amplamente utilizado em optoeletrônica e dispositivos eletrônicos de alta frequência.

É cultivado em um substrato de arsenieto de gálio através de tecnologia de crescimento epitaxial e tem excelentes propriedades optoeletrônicas.

As características directas de banda de GaAs tornam-no particularmente proeminente em diodos emissores de luz (LEDs) e diodos laser (LDs),que possam emitir luz de forma eficiente e sejam adequados para comunicações ópticas e tecnologias de exibiço.

Em comparaço com o silício, o GaAs tem maior mobilidade eletrônica e pode suportar velocidades de comutaço mais rápidas, o que é particularmente adequado para dispositivos de radiofrequência (RF) e microondas.

Além disso, as placas epitaxais de GaAs apresentam boa estabilidade e características de baixo ruído em ambientes de alta temperatura, tornando-as adequadas para várias aplicações de alta potência e alta frequência.

Durante o processo de fabrico, as tecnologias de crescimento epitaxial comumente utilizadas incluem a deposiço de vapor químico orgnico metálico (MOCVD) e a epitaxia por feixe molecular (MBE),que asseguram a elevada qualidade e uniformidade da camada epitaxial.

Após a fabricaço, a bolacha epitaxial de GaAs sofre processos como gravaço, metalizaço e embalagem para finalmente formar dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos de alto desempenho.

Com o avanço da ciência e da tecnologia, os campos de aplicaço das wafers epitaxial GaAs continuam a expandir, especialmente nos campos de comunicações ópticas, células solares e sensores,mostrando perspectivas de mercado amplas.

Mais sobre o GaAs Laser Epitaxial Wafer

Como fornecedora líder de substratos de GaAs, a ZMSH é especializada na fabricaço de substratos de wafer de arsênico de gálio (GaAs) preparados para Epi.

Oferecemos uma variedade de tipos, incluindo wafers semicondutores de tipo n, C-dopado e p-tipo em ambos os níveis prime e dummy.

A resistividade dos nossos substratos de GaAs varia em funço dos dopantes utilizados: as wafers dopadas com silício ou zinco têm uma faixa de resistividade de (0,001 ∼0,009) ohm·cm,enquanto as bolinhas dopadas com carbono têm uma resistividade ≥ 1 × 10^7 ohm·cm.

Nossas bolinhas de GaAs esto disponíveis em orientações cristalinas de (100) e (111) com tolerncias de orientaço (100) de 2°, 6° ou 15° fora.

A densidade de fossa de gravaço (EPD) para nossas placas de GaAs é tipicamente <5000/cm2 para aplicações LED e <500/cm2 para diodos laser (LD) e microeletrônicos.

Recomendações de produtos similares

1.2" S Wafer EPI semicondutor GaP dopado N Tipo P Tipo 250um 300um Diodos emissores de luz

2.2" 3" FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Camada de Oxidaço Seca e Molhada 100nm 300nm

Perguntas frequentes

1P: E quanto ao custo das placas epitaxial a laser GaAs em comparaço com outras placas?

R: As bolhas epitaxial a laser GaAs tendem a ser mais caras do que as bolhas de silício e alguns outros materiais semicondutores.

2P: E quanto s perspectivas futuras dos GAAs?laser epitaxialÓleos essenciais?
R: As perspectivas futuras das wafers epitaxiais a laser de GaAs so bastante promissoras.