InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 polegadas com espessura de 350-650um para trabalho de rede óptica

InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 polegadas com espessura de 350-650um para trabalho de rede óptica

InP epiwafer's Overview

O Epiwafer de Fosfeto de Índio (InP) é um material chave usado em dispositivos optoeletrônicos avançados, particularmente diodos a laser Fabry-Perot (FP).InP Epiwafers consistem em camadas epitaxialmente cultivadas num substrato InP, concebido para aplicações de alto desempenho em telecomunicações, centros de dados e tecnologias de detecço.

Os lasers FP baseados em InP so vitais para a comunicaço por fibra óptica, suportando a transmisso de dados de curto a médio alcance em sistemas como redes ópticas passivas (PON) e multiplexagem por diviso de onda (WDM).Os seus comprimentos de onda de emisso, tipicamente em torno de 1,3 μm e 1,55 μm, alinham-se com as janelas de baixa perda das fibras ópticas, tornando-as ideais para transmisso de longa distncia e alta velocidade.

Estas wafers encontram também aplicações em interligações de dados de alta velocidade dentro de centros de dados, onde o desempenho econômico e estável dos lasers FP é essencial.Os lasers FP baseados em InP so utilizados na monitorizaço ambiental e na detecço industrial de gases, onde podem detectar gases como o CO2 e o CH4 devido sua emisso precisa nas faixas de absorço infravermelha.

No campo médico, os epiwafers InP contribuem para os sistemas de tomografia de coerência óptica (OCT), fornecendo capacidades de imagem no invasivas.A sua integraço em circuitos fotónicos e utilizaço potencial nas tecnologias aeroespaciais e de defesa, como o LIDAR e a comunicaço por satélite, destacam a sua versatilidade.

No geral, os epiwafers InP so críticos para permitir uma ampla gama de dispositivos ópticos e eletrônicos devido s suas excelentes propriedades elétricas e ópticas, particularmente no 1,3 μm a 1.Faixa de comprimento de onda de 55 μm.

Estrutura do epiwafer InP

Resultado do ensaio PL Mapping do epiwafer InP

As fotos do InP epiwafer

Ficha de dados de características e principais do epiwafer InP

Os Epiwafers de Fosfeto de Índio (InP) se distinguem por suas excelentes propriedades elétricas e ópticas, tornando-os essenciais para dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho.Abaixo está uma viso geral das principais propriedades que definem os Epiwafers InP:

1Estrutura cristalina e constante de rede

• Estrutura cristalina: InP tem uma estrutura cristalina de mistura de zinco.
• Constante de rede: 5,869 Å. A correspondência quase perfeita da rede com materiais como InGaAs e InGaAsP permite o crescimento de camadas epitaxial de alta qualidade,Minimizando defeitos como luxações e tensões.

2. Bandgap e comprimento de onda de emisso

• Bandgap: InP tem um bandgap direto de 1,344 eV a 300 K, correspondendo a um comprimento de onda de emisso de cerca de 0,92 μm.
• Faixa de emisso de epiwafer: camadas epitaxial cultivadas no InP normalmente permitem o funcionamento do dispositivo na faixa de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, ideal para sistemas de comunicaço óptica.

3Alta Mobilidade Electrônica

• O InP apresenta uma elevada mobilidade dos elétrons (5400 cm2/V·s), o que resulta num transporte rápido dos elétrons,que o tornam adequado para aplicações de alta frequência e alta velocidade, tais como telecomunicações e circuitos fotónicos integrados.

4Conductividade térmica

• Conductividade térmica: InP tem uma condutividade térmica de aproximadamente 0,68 W/cm·K temperatura ambiente.é adequado para dissipar o calor em muitos dispositivos optoeletrônicos, especialmente com uma gesto térmica adequada.

5Transparência óptica

• O InP é transparente para comprimentos de onda acima de sua faixa de banda, permitindo uma emisso e transmisso eficientes de fótons na faixa infravermelha, particularmente nos comprimentos de onda críticos de telecomunicações (1,3 μm e 1,1).55 μm).

6Dopagem e condutividade

• Dopagem de tipo n e p: InP pode ser dopado com doadores (por exemplo, enxofre) ou aceitadores (por exemplo, zinco), oferecendo flexibilidade na criaço de regiões de tipo n e p necessárias para vários dispositivos de semicondutores.
• Alta condutividade: as camadas de contato fortemente dopadas cultivadas em substratos InP garantem contatos ohmicos de baixa resistência, melhorando a eficiência da injeço de corrente em dispositivos como os lasers FP.

7. Baixa densidade de defeitos

• Os Epiwafers InP apresentam baixa densidade de defeito, crucial para dispositivos de alto desempenho. As camadas epitaxiais de alta qualidade levam a uma melhor eficiência, longevidade e confiabilidade do dispositivo.

Em resumo, as propriedades dos Epiwafers InP, tais como alta mobilidade de elétrons, baixa densidade de defeito, correspondência de rede e operaço eficaz em comprimentos de onda críticos de telecomunicações,torná-los indispensáveis na optoelectrónica moderna, nomeadamente nas comunicações de alta velocidade e aplicações de detecço.

Aplicaço do epiwafer InP

Os Epiwafers de Fosfeto de Índio (InP) so críticos em vários campos de tecnologia avançada devido s suas excelentes propriedades optoeletrônicas.

1.Comunicaço por fibra óptica

• Diodos a laser (lasers FP/DFB): Epiwafers inP so usados para fabricar lasers Fabry-Perot (FP) e Feedback Distribuído (DFB), que operam em comprimentos de onda de 1,3 μm e 1,55 μm.Estes comprimentos de onda alinham-se com as janelas de transmisso de baixa perda das fibras ópticas, tornando-os ideais para a comunicaço de dados de longa distncia.
• Aparelhos fotodetectoresOs Epiwafers também so utilizados para fazer fotodetectores para receber sinais ópticos em sistemas de fibra óptica.

2.Interconexões do Data Center

• Os lasers e detectores baseados em InP so utilizados em módulos ópticos que permitem interconexões de alta velocidade e baixa latência dentro dos centros de dados, melhorando o desempenho geral da rede.

3.Sensores ópticos e detecço de gases

• Sensores de gás: InP Epiwafers so utilizados para fabricar lasers que operam na faixa infravermelha, adequados para aplicações de detecço de gases (por exemplo, CO2, CH4) na monitorizaço industrial, ambiental e de segurança.
• Tomografia de coerência óptica (OCT): As fontes de luz baseadas em IP so cruciais para as tecnologias de imagem médica como a TCO, que so utilizadas para o diagnóstico no invasivo nos cuidados de saúde.

4.Circuitos fotónicos integrados (PIC)

• InP Epiwafers so materiais fundamentais para circuitos integrados fotônicos que combinam múltiplas funções fotônicas (por exemplo, lasers, moduladores,e detectores) num único chip para aplicações em comunicações de alta velocidade, processamento de sinal e computaço quntica.

5.LIDAR (Detecço e alcance da luz)

• Os lasers baseados em InP so utilizados em sistemas LIDAR para veículos autônomos, mapeamento aéreo e várias aplicações de defesa.fontes de luz fiáveis geradas por epiwafers InP para medições de distncia e velocidade.

6.Comunicaço por satélite e pelo espaço

• Os lasers e fotodetectores InP desempenham um papel crucial nas comunicações por satélite e nas aplicações aeroespaciais, permitindo a transmisso segura e de alta velocidade de dados a grandes distncias.

7.Defesa e Aeroespacial

• Os Epiwafers InP so usados em sistemas de defesa avançados, como radar de alta velocidade, orientaço de mísseis e sistemas de comunicaço seguros, onde o desempenho confiável e de alta frequência é crítico.

Essas aplicações destacam a versatilidade e a importncia dos Epiwafers InP em dispositivos optoeletrônicos e fotônicos modernos.

Perguntas e respostas

O que so epiwafers InP?

Epiwafers com fosfeto de ínio (InP)so wafers semicondutores compostos por um substrato InP com uma ou mais camadas de vários materiais (como InGaAs, InGaAsP ou AlInAs) cultivadas epitaxialmente.Estas camadas so depositadas precisamente no substrato InP para criar estruturas de dispositivos específicos adaptados para aplicações optoeletrônicas de alto desempenho.