InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 polegadas com
espessura de 350-650um para trabalho de rede óptica
InP epiwafer's Overview
O Epiwafer de Fosfeto de Índio (InP) é um material chave usado em
dispositivos optoeletrônicos avançados, particularmente diodos a
laser Fabry-Perot (FP).InP Epiwafers consistem em camadas
epitaxialmente cultivadas num substrato InP, concebido para
aplicações de alto desempenho em telecomunicações, centros de dados
e tecnologias de detecço.
Os lasers FP baseados em InP so vitais para a comunicaço por fibra
óptica, suportando a transmisso de dados de curto a médio alcance
em sistemas como redes ópticas passivas (PON) e multiplexagem por
diviso de onda (WDM).Os seus comprimentos de onda de emisso,
tipicamente em torno de 1,3 μm e 1,55 μm, alinham-se com as janelas
de baixa perda das fibras ópticas, tornando-as ideais para
transmisso de longa distncia e alta velocidade.
Estas wafers encontram também aplicações em interligações de dados
de alta velocidade dentro de centros de dados, onde o desempenho
econômico e estável dos lasers FP é essencial.Os lasers FP baseados
em InP so utilizados na monitorizaço ambiental e na detecço
industrial de gases, onde podem detectar gases como o CO2 e o CH4
devido sua emisso precisa nas faixas de absorço infravermelha.
No campo médico, os epiwafers InP contribuem para os sistemas de
tomografia de coerência óptica (OCT), fornecendo capacidades de
imagem no invasivas.A sua integraço em circuitos fotónicos e
utilizaço potencial nas tecnologias aeroespaciais e de defesa, como
o LIDAR e a comunicaço por satélite, destacam a sua versatilidade.
No geral, os epiwafers InP so críticos para permitir uma ampla gama
de dispositivos ópticos e eletrônicos devido s suas excelentes
propriedades elétricas e ópticas, particularmente no 1,3 μm a
1.Faixa de comprimento de onda de 55 μm.
Estrutura do epiwafer InP
Resultado do ensaio PL Mapping do epiwafer InP
As fotos do InP epiwafer
Ficha de dados de características e principais do epiwafer InP
Os Epiwafers de Fosfeto de Índio (InP) se distinguem por suas
excelentes propriedades elétricas e ópticas, tornando-os essenciais
para dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho.Abaixo está
uma viso geral das principais propriedades que definem os Epiwafers
InP:
1Estrutura cristalina e constante de rede
- Estrutura cristalina: InP tem uma estrutura cristalina de mistura
de zinco.
- Constante de rede: 5,869 Å. A correspondência quase perfeita da
rede com materiais como InGaAs e InGaAsP permite o crescimento de
camadas epitaxial de alta qualidade,Minimizando defeitos como
luxações e tensões.
2. Bandgap e comprimento de onda de emisso
- Bandgap: InP tem um bandgap direto de 1,344 eV a 300 K,
correspondendo a um comprimento de onda de emisso de cerca de 0,92
μm.
- Faixa de emisso de epiwafer: camadas epitaxial cultivadas no InP
normalmente permitem o funcionamento do dispositivo na faixa de
comprimento de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, ideal para sistemas de
comunicaço óptica.
3Alta Mobilidade Electrônica
- O InP apresenta uma elevada mobilidade dos elétrons (5400 cm2/V·s),
o que resulta num transporte rápido dos elétrons,que o tornam
adequado para aplicações de alta frequência e alta velocidade, tais
como telecomunicações e circuitos fotónicos integrados.
4Conductividade térmica
- Conductividade térmica: InP tem uma condutividade térmica de
aproximadamente 0,68 W/cm·K temperatura ambiente.é adequado para
dissipar o calor em muitos dispositivos optoeletrônicos,
especialmente com uma gesto térmica adequada.
5Transparência óptica
- O InP é transparente para comprimentos de onda acima de sua faixa
de banda, permitindo uma emisso e transmisso eficientes de fótons
na faixa infravermelha, particularmente nos comprimentos de onda
críticos de telecomunicações (1,3 μm e 1,1).55 μm).
6Dopagem e condutividade
- Dopagem de tipo n e p: InP pode ser dopado com doadores (por
exemplo, enxofre) ou aceitadores (por exemplo, zinco), oferecendo
flexibilidade na criaço de regiões de tipo n e p necessárias para
vários dispositivos de semicondutores.
- Alta condutividade: as camadas de contato fortemente dopadas
cultivadas em substratos InP garantem contatos ohmicos de baixa
resistência, melhorando a eficiência da injeço de corrente em
dispositivos como os lasers FP.
7. Baixa densidade de defeitos
- Os Epiwafers InP apresentam baixa densidade de defeito, crucial
para dispositivos de alto desempenho. As camadas epitaxiais de alta
qualidade levam a uma melhor eficiência, longevidade e
confiabilidade do dispositivo.
Imóveis | Descriço |
Estrutura cristalina | Estrutura cristalina da mistura de zinco |
Constante de grelha | 5.869 Å - Combina bem com InGaAs e InGaAsP, minimizando defeitos |
Bandgap | 1.344 eV a 300 K, correspondente a um comprimento de onda de ~ 0,92
μm de emisso |
Intervalo de emisso do epiwafer | Normalmente na faixa de 1,3 μm a 1,55 μm, adequado para comunicaço
óptica |
Alta mobilidade de elétrons | 5400 cm2/V·s, permitindo aplicações de dispositivos de alta
velocidade e alta frequência |
Conductividade térmica | 00,68 W/cm·K temperatura ambiente, proporciona uma dissipaço de
calor adequada |
Transparência óptica | Transparente acima do seu intervalo de banda, permitindo uma emisso
eficiente de fótons na faixa IR |
Dopagem e Conductividade | Pode ser dopado como tipo n (enxofre) ou tipo p (zinco), suporta
contatos ohmicos |
Baixa densidade de defeitos | Baixa densidade de defeitos, melhora a eficiência, longevidade e
confiabilidade dos dispositivos |
Em resumo, as propriedades dos Epiwafers InP, tais como alta
mobilidade de elétrons, baixa densidade de defeito, correspondência
de rede e operaço eficaz em comprimentos de onda críticos de
telecomunicações,torná-los indispensáveis na optoelectrónica
moderna, nomeadamente nas comunicações de alta velocidade e
aplicações de detecço.
Aplicaço do epiwafer InP
Os Epiwafers de Fosfeto de Índio (InP) so críticos em vários campos
de tecnologia avançada devido s suas excelentes propriedades
optoeletrônicas.
1.Comunicaço por fibra óptica
- Diodos a laser (lasers FP/DFB): Epiwafers inP so usados para fabricar lasers Fabry-Perot (FP) e
Feedback Distribuído (DFB), que operam em comprimentos de onda de
1,3 μm e 1,55 μm.Estes comprimentos de onda alinham-se com as
janelas de transmisso de baixa perda das fibras ópticas,
tornando-os ideais para a comunicaço de dados de longa distncia.
- Aparelhos fotodetectoresOs Epiwafers também so utilizados para fazer fotodetectores para
receber sinais ópticos em sistemas de fibra óptica.
2.Interconexões do Data Center
- Os lasers e detectores baseados em InP so utilizados em módulos
ópticos que permitem interconexões de alta velocidade e baixa
latência dentro dos centros de dados, melhorando o desempenho geral
da rede.
3.Sensores ópticos e detecço de gases
- Sensores de gás: InP Epiwafers so utilizados para fabricar lasers que operam na
faixa infravermelha, adequados para aplicações de detecço de gases
(por exemplo, CO2, CH4) na monitorizaço industrial, ambiental e de
segurança.
- Tomografia de coerência óptica (OCT): As fontes de luz baseadas em IP so cruciais para as tecnologias
de imagem médica como a TCO, que so utilizadas para o diagnóstico
no invasivo nos cuidados de saúde.
4.Circuitos fotónicos integrados (PIC)
- InP Epiwafers so materiais fundamentais para circuitos integrados
fotônicos que combinam múltiplas funções fotônicas (por exemplo,
lasers, moduladores,e detectores) num único chip para aplicações em
comunicações de alta velocidade, processamento de sinal e computaço
quntica.
5.LIDAR (Detecço e alcance da luz)
- Os lasers baseados em InP so utilizados em sistemas LIDAR para
veículos autônomos, mapeamento aéreo e várias aplicações de
defesa.fontes de luz fiáveis geradas por epiwafers InP para
medições de distncia e velocidade.
6.Comunicaço por satélite e pelo espaço
- Os lasers e fotodetectores InP desempenham um papel crucial nas
comunicações por satélite e nas aplicações aeroespaciais,
permitindo a transmisso segura e de alta velocidade de dados a
grandes distncias.
7.Defesa e Aeroespacial
- Os Epiwafers InP so usados em sistemas de defesa avançados, como
radar de alta velocidade, orientaço de mísseis e sistemas de
comunicaço seguros, onde o desempenho confiável e de alta
frequência é crítico.
Essas aplicações destacam a versatilidade e a importncia dos
Epiwafers InP em dispositivos optoeletrônicos e fotônicos modernos.
Perguntas e respostas
O que so epiwafers InP?
Epiwafers com fosfeto de ínio (InP)so wafers semicondutores compostos por um substrato InP com uma ou
mais camadas de vários materiais (como InGaAs, InGaAsP ou AlInAs)
cultivadas epitaxialmente.Estas camadas so depositadas precisamente
no substrato InP para criar estruturas de dispositivos específicos
adaptados para aplicações optoeletrônicas de alto desempenho.