N-GaAs Substrato VCSEL Epiwafer 6 polegadas Gallium Arsenide Wafer 2 polegadas < 100> < 110> Para dispositivos optoeletrônicos
Material:Arseneto de gálio
Tamanho:2 polegadas
Espessura:430um
orientação:A partir de 1 de janeiro de 2015
Tipo:tipo de n
Modo de cavidade Uniformidade:≤ 1%
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Detalhes do produto
Substrato de N-Gálcio Arsenídeo de 2 polegadas, Wafer Epitaxial
VCSEL de N-GaAs, Wafer Epitaxial Semicondutor, Wafer de N-GaAs de 2
polegadas, Wafer de cristal único de GaAs, Substratos de N-GaAs de
2 polegadas, 3 polegadas e 4 polegadas,Wafer de semicondutores,
N-Arseneto de gálio Laser Epitaxial Wafer
Características do substrato de N-GaAs
- utilizar substratos de GaAs para fabrico
- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos
- bandgap direto, emite luz de forma eficiente, usado em lasers.
- na faixa de comprimento de onda de 0,7 μm a 0,9 μm, estruturas de
poços qunticos
- utilizando técnicas como MOCVD ou MBE, gravaço, metalizaço e
embalagem para obter a forma final do dispositivo
Descriço doSubstrato de N-GaAs
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) epitaxial wafers
based on N-GaAs (n-type gallium arsenide) substrates are a key
optoelectronic material widely used in the fields of lasers and
optical communications.
O substrato N-GaAs é composto por gálio (Ga) e arsénio (As) e
utiliza tecnologia de dopagem de tipo n para aumentar a concentraço
de elétrons livres,melhorando assim a condutividade e a mobilidade
dos elétrons.
Este material tem uma largura de banda de energia de cerca de 1,42
eV, que é adequado para emisso a laser e possui excelentes
propriedades optoeletrônicas.
A estrutura do VCSEL geralmente inclui vários poços qunticos e
camadas refletoras, que so cultivadas no substrato N-GaAs para
formar uma cavidade laser eficiente.
A camada de poço quntico é responsável por excitar e emitir lasers,
enquanto o refletor aumenta a eficiência de saída do laser.
A excelente estabilidade térmica e as propriedades elétricas do
substrato N-GaAs garantem o alto desempenho e estabilidade do
VCSEL, o que o torna com bom desempenho na transmisso de dados de
alta velocidade.
Os VCSELs baseados em substratos de N-GaAs so amplamente utilizados
em campos como comunicações de fibra óptica, impressoras a laser e
sensores.
A sua elevada eficiência e baixo consumo de energia tornam-na uma
parte importante da tecnologia de comunicaço moderna.
Com a crescente procura de transmisso de dados de alta velocidade,
a tecnologia VCSEL baseada no substrato N-GaAs está gradualmente a
tornar-se uma direcço importante para o desenvolvimento da
optoelectrónica,Promover o progresso e a inovaço de várias
aplicações.
Detalhes do substrato de N-GaAs
| Parmetro | VCSEL |
| Taxa | 25G/50G |
| comprimento de onda | 850 nm |
| tamanho | 4 polegadas / 6 polegadas |
| Modo de cavidade Tolerncia | Dentro de ± 3% |
| Modo de cavidade Uniformidade | ≤ 1% |
| Tolerncia ao doping | Dentro de ± 30% |
| Nível de doping Uniformidade | ≤ 10% |
| PL Uniformidade do comprimento de onda | Std.Dev melhor do que 2nm @ interior 140mm |
| Uniformidade da espessura | Melhor do que ± 3% @interior 140 mm |
| Fracço mol x Tolerncia | Dentro de ± 0.03 |
| Fraço mol x Uniformidade | ≤ 0.03 |
Mais amostras de N-GaAs Substrato
* Se tiver requisitos personalizados, por favor, sinta-se vontade
para nos contactar.
Sobre nós
Sobre nós
A nossa empresa, ZMSH, é especializada na investigaço, produço,
processamento e venda de substratos de semicondutores e materiais
de cristal óptico.
Temos uma equipa de engenheiros experientes, conhecimentos de
gesto, equipamento de processamento de preciso e instrumentos de
teste,fornecendo-nos capacidades extremamente fortes no
processamento de produtos no-padro.
Podemos pesquisar, desenvolver e projetar vários novos produtos de
acordo com as necessidades do cliente.
A empresa aderirá ao princípio de "centrada no cliente, baseada na
qualidade" e se esforçará para se tornar uma empresa de alta
tecnologia de primeira linha no campo dos materiais
optoeletrônicos.
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Perguntas frequentes
1Q: O que dizer do custo dos substratos N-GaAs em comparaço com
outros substratos N-GaAs?substratos?
A:Substratos de N-GaAstendem a ser mais caros do que o silíciosubstratose alguns outros materiais semicondutores.
2P: E quanto s perspectivas futuras deSubstratos de N-GaAs?
A: As perspectivas futuras deSubstratos de N-GaAsso bastante promissores.
N-GaAs Substrato VCSEL Epiwafer 6 polegadas Gallium Arsenide Wafer 2 polegadas < 100> < 110> Para dispositivos optoeletrônicos
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