Substrato de carburo de silício Sic de 2 polegadas 6H Baixa resistência Tipo dopado de P alto Diâmetro 50,8 mm
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:10 por cento
Tempo de entrega:em 30days
Dureza da superfície:HV0,3>2500
Densidade:3.21 G/cm3
Coeficiente de expansão térmica:4,5 X 10-6/K
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Shanghai Shanghai China
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Descriço do produto:
Substrato de carburo de silício Sic de 2 polegadas 6H Baixa
resistência Tipo dopado de P alto Dimetro 50,8 mm
O 6H-SiC (Carburo de Silício Hexagonal) é um material semicondutor
de banda larga com boa condutividade térmica e resistência a altas
temperaturas,que é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos
de alta potência e alta frequênciaA dopagem de tipo P é obtida
através da introduço de elementos como o alumínio (Al), o que torna
o material eletropozitativo e adequado para projetos específicos de
dispositivos eletrônicos.que é adequado para funcionamento em
ambientes de alta temperatura e alta tenso. A condutividade térmica
é superior a muitos materiais semicondutores tradicionais e ajuda a
melhorar a eficiência do dispositivo..
No campo da eletrônica de potência, pode ser usado para fabricar
dispositivos de potência de alta eficiência, como MOSFETs e
IGBTs.Tem um excelente desempenho em aplicações de alta frequência
e é amplamente utilizado em equipamentos de comunicaçoNo domínio da
tecnologia LED, pode ser utilizado como material de base para
dispositivos de LED azul e ultravioleta.
Características:
·Espaço de banda larga: o espaço de banda é de cerca de 3,0 eV,
tornando-o adequado para aplicações de alta temperatura, alta tenso
e alta frequência.
·Excelente condutividade térmica: com boa condutividade térmica,
ajuda a dissipaço de calor, melhora o desempenho e a confiabilidade
do dispositivo.
·Alta resistência e dureza: elevada resistência mecnica,
antifragmentaço e antidesgaste, adequada para utilizaço em
ambientes adversos.
·Mobilidade dos elétrons: o doping do tipo P mantém ainda uma
mobilidade relativamente elevada dos portadores, apoiando
dispositivos eletrônicos eficientes.
·Propriedades ópticas: com propriedades ópticas únicas, adequadas
para o campo da optoeletrónica, tais como LEDs e lasers.
·Estabilidade química: boa resistência corroso química, adequada
para ambientes de trabalho adversos.
·Forte adaptabilidade: pode ser combinado com uma variedade de
materiais de substrato, adequado para uma variedade de cenários de
aplicaço.
Parmetros técnicos:
Aplicações:
·Eletrônica de potência: Usada para fabricar dispositivos de
potência de alta eficiência, como MOSFETs e IGBTs, que so
amplamente usados em conversores de frequência, gerenciamento de
energia e veículos elétricos.
·Equipamento de RF e Microondas: Usado em amplificadores de alta frequência, amplificadores de potência de RF, adequados para sistemas de comunicaço e radar.
·Equipamento de RF e Microondas: Usado em amplificadores de alta frequência, amplificadores de potência de RF, adequados para sistemas de comunicaço e radar.
·Optoeletrônica: Usado como substrato em LEDs e lasers,
especialmente em aplicações azuis e ultravioletas.
·Sensores de alta temperatura: devido sua boa estabilidade térmica,
so adequados para sensores de alta temperatura e equipamentos de
monitorizaço.
·Energia solar e sistemas energéticos: utilizados em inversores
solares e outras aplicações de energia renovável para melhorar a
eficiência da converso de energia.
·Eletrónica automóvel: otimizaço do desempenho e poupança de energia
no sistema de alimentaço de veículos eléctricos e híbridos.
·Equipamento eléctrico industrial: módulos de potência para uma
ampla gama de equipamentos e máquinas de automaço industrial para
melhorar a eficiência e a fiabilidade energéticas.
Personalizaço:
O nosso substrato SiC está disponível no tipo 6H-P e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por caso. Os detalhes da embalagem so caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / T. Nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de dimetro 50,8 mm espessura 350 μm. O local de origem é a China.
Os nossos serviços:
1- Fabricaço e venda diretas.
2Citações rápidas e precisas.
3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.
4. ODM: O design personalizado é disponível.
5Rapidez e entrega preciosa.
Perguntas frequentes:
P: Há algum produto em estoque ou padro?
R: Sim, o tamanho inicial é de 2 polegadas, tamanho padro de 0,35
mm, sempre em estoque.
P: Se eu fizer um pedido agora, quanto tempo levaria até eu receber
a entrega?
A: tamanho padro em estoque em 1 semana pode ser expresso após o
pagamento.
E o nosso prazo de pagamento é 50% de depósito e partida antes da
entrega.
Substrato de carburo de silício Sic de 2 polegadas 6H Baixa resistência Tipo dopado de P alto Diâmetro 50,8 mm
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