Wafer de carburo de silício 6H P-Type e 4H P-Type Zero MPD Produção Grade Dummy Dia 4inch 6inch

Wafer de carburo de silício 6H Tipo P e 4H Tipo P Zero MPD Produço de calibre Dia 4 polegadas 6 polegadas

Wafer de carburo de silício 6H P-Type & 4H P-Type resumo

Este estudo explora as propriedades e aplicações das wafers de carburo de silício (SiC) em politipos de tipo P 6H e 4H,com foco em wafers de qualidade de produço e de qualidade fictícia de densidade de microtubos zero (Zero MPD) com dimetros de 4 polegadas e 6 polegadasAs placas de SiC de tipo P de 6H e 4H possuem estruturas cristalinas únicas, oferecendo elevada condutividade térmica, largas faixas de banda e excelente resistência a altas temperaturas, voltagens e radiaço.Estas características tornam-nos ideais para aplicações de alto desempenho, como a eletrónica de potênciaA propriedade de MPD Zero dos wafers melhora ainda mais a sua qualidade, eliminando micropipes,que melhora significativamente a fiabilidade e o desempenho do dispositivoEste documento detalha o processo de fabrico, as características dos materiais e os casos potenciais de utilizaço destas placas de SiC em sistemas eletrónicos avançados, em especial para dispositivos de potência de alta eficiência.Componentes de RF, e outras aplicações industriais que exijam substratos de semicondutores robustos.

Gráfico de dados do Silicon Carbide Wafer 6H P-Type & 4H P-Type

4 polegadas de dimetro de carburo de silício (SiC) Especificaço do substrato

Propriedades do Wafer de Carbono de Silício 6H P-Type e 4H P-Type

As propriedades das placas de carburo de silício (SiC) em politipos de tipo 6H e 4H P, especificamente com produço de densidade de microplacas zero (Zero MPD) e graus fictícios, so as seguintes:

Estrutura cristalina:

6H-SiC: Estrutura hexagonal com seis bicamadas, proporcionando menor mobilidade de elétrons, mas maior condutividade térmica.

4H-SiC: Estrutura hexagonal com quatro bicamadas, oferecendo maior mobilidade de elétrons e melhor desempenho em dispositivos de alta potência e alta frequência.

Conductividade do tipo P:

Ambas as wafers so dopadas para criar condutividade de tipo P (impurezas de aceitador como boro ou alumínio), tornando-as ideais para dispositivos de energia que exigem o fluxo de portadores de carga positiva (buracos).

Densidade de microtubos zero (MPD zero):

Essas placas so produzidas sem micropipes, que so defeitos que podem enfraquecer a confiabilidade do dispositivo.

Ampla distncia de banda:

Ambos os politipos possuem largas faixas de banda, com 4H-SiC a 3,26 eV e 6H-SiC a 3,0 eV, permitindo a operaço em altas tensões e temperaturas.

Conductividade térmica:

As placas de SiC possuem alta condutividade térmica, crucial para a dissipaço de calor eficiente na eletrônica de alta potência.

Alta tenso de ruptura:

Ambas as placas de SiC 6H e 4H têm campos elétricos de alta degradaço, tornando-as adequadas para aplicações de alta tenso.

Dimetro:

Os wafers esto disponíveis em dimetros de 4 polegadas e 6 polegadas, suportando vários tamanhos de fabricaço de dispositivos e padrões da indústria.

Essas propriedades tornam as wafers SiC de tipo 6H e 4H P com MPD zero essenciais para eletrônicos de alta potência, dispositivos de RF e aplicações em ambientes extremos.

A exposiço da Silicon Carbide Wafer 6H P-Type & 4H P-Type

A aplicaço do silicone carbide wafer 6H P-Type & 4H P-Type

As placas de carburo de silício (SiC) de tipo P 6H e 4H com densidade de micropipe zero (Zero MPD) têm diversas aplicações devido s suas propriedades elétricas, térmicas e mecnicas superiores.As principais aplicações incluem::

Eletrónica de potência:

Tanto as placas de SiC 6H como 4H so usadas em dispositivos eletrônicos de alta potência, como MOSFETs, diodos Schottky e tiristores.Sistemas de energia renovável (inversores solares), turbinas eólicas), e sistemas de energia industrial devido sua capacidade de lidar com altas tensões, temperaturas e eficiências.

Dispositivos de alta frequência:

O 4H-SiC, com sua maior mobilidade eletrônica, é especialmente adequado para dispositivos de RF e microondas usados em sistemas de radar, comunicações por satélite e infraestrutura sem fio.Estes aparelhos beneficiam da capacidade do SiC para operar em altas frequências com baixa perda de energia.

Aeronáutica e Defesa:

A alta condutividade térmica, resistência radiaço e MPD zero tornam as placas de SiC ideais para aplicações aeroespaciais e de defesa, como amplificadores de potência, sensores,e sistemas de comunicaço que operam em ambientes extremos.

Veículos elétricos (VE):

As placas de SiC so componentes-chave nos motores de veículos elétricos, incluindo carregadores e inversores de bordo, melhorando a eficiência energética, aumentando a autonomia e reduzindo a geraço de calor nos carros elétricos.

Eletrônicos de alta temperatura:

Os Wafers de SiC® têm a capacidade de resistir a altas temperaturas sem degradaço, o que os torna ideais para equipamentos industriais, exploraço de petróleo e gás,e sistemas de exploraço espacial que devem funcionar de forma fiável em ambientes térmicos adversos.

Energia renovável:

Os dispositivos de potência baseados em SiC ajudam a aumentar a eficiência da converso de energia em sistemas de energia solar e eólica, minimizando as perdas de energia e permitindo a operaço a altas tensões e temperaturas.

Dispositivos médicos:

As bolhas de SiC também so usadas em tecnologias médicas avançadas, incluindo equipamentos de imagem médica de alta potência e dispositivos que exigem materiais duráveis e de alto desempenho.

Essas aplicações alavancam a alta eficiência, confiabilidade e capacidade de operar em condições extremas, tornando as wafers 6H e 4H P-Type SiC indispensáveis na tecnologia de ponta.

Perguntas e respostas

P:Quais so os diferentes tipos de carburo de silício?

A: O carburo de silício (SiC) existe em vários politipos, que so estruturas cristalinas diferentes que resultam em diferentes propriedades físicas e eletrônicas.

4H-SiC (hexagonal):

Estrutura: Estrutura cristalina hexagonal com uma sequência repetitiva de quatro camadas.

Propriedades: Ampla distncia de banda (3,26 eV), alta mobilidade eletrônica e alto campo elétrico de quebra.

Aplicações: Preferido para aplicações de alta potência, alta frequência e alta temperatura, como eletrônica de potência, veículos elétricos e dispositivos de RF, devido ao seu excelente desempenho elétrico.

6H-SiC (hexagonal):

Estrutura: Estrutura cristalina hexagonal com uma sequência repetitiva de seis camadas.

Propriedades: ligeiramente menor intervalo de banda (3,0 eV) e menor mobilidade de elétrons em comparaço com 4H-SiC, mas ainda oferece alta condutividade térmica e resistência alta tenso.

Aplicações: Usado em eletrônicos de potência, comutas de alta tenso e dispositivos que exigem alta estabilidade térmica.

3C-SiC (cúbico):

Estrutura: Estrutura cristalina cúbica, também conhecida como beta-SiC.

Propriedades: Tem um intervalo de banda menor (2,3 eV) e apresenta alta mobilidade eletrônica, mas é menos termicamente estável do que as formas hexagonais.

Aplicações: Comumente usado em dispositivos optoeletrônicos, sensores e sistemas microeletromecnicos (MEMS). Pode ser cultivado em substratos de silício, tornando-o mais compatível com a tecnologia de silício existente.

15R-SiC (romboédrico):

Estrutura: Estrutura cristalina rhomboédrica com uma sequência repetitiva de 15 camadas.

Propriedades: Tem um intervalo de banda intermediário (2,86 eV) e mobilidade eletrônica entre 4H e 6H-SiC, mas é menos comumente usado.

Aplicações: Raramente utilizado em aplicações comerciais devido disponibilidade limitada e s propriedades menos favoráveis em comparaço com os politipos 4H e 6H.

Outros politipos (por exemplo, 2H-SiC, 8H-SiC, 27R-SiC):

Existem mais de 200 politipos conhecidos de SiC, mas estes so menos comuns e no so amplamente utilizados em aplicações comerciais.Eles têm sequências de empilhamento únicas e variações em suas propriedades eletrônicas e térmicas.

Principais diferenças:

• As principais diferenças entre esses tipos esto em sua sequência de empilhamento, energia de banda, mobilidade de elétrons e adequaço para diferentes aplicações.Os tipos mais significativos comercialmente so 4H-SiC e 6H-SiC devido s suas propriedades elétricas superiores, alta condutividade térmica e capacidade de operar em ambientes de alta potência, alta frequência e alta temperatura.

Esses diversos politipos tornam o carburo de silício um material versátil para várias aplicações eletrônicas e industriais de alto desempenho.