2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero
Número do modelo:4H-P SiC
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:10 por cento
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:1000pc/month
Tempo de entrega:em 30days
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Dimetro 50,8mm Grau zero
O carburo de silício 4H-P (SiC) é um material semicondutor importante comumente usado em dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta frequência e alta potência.4H-SiC é um tipo de sua estrutura cristalina que tem uma estrutura de rede hexagonalA largura de banda (aproximadamente 3,26 eV) permite-lhe operar em ambientes de alta temperatura e alta tenso.pode conduzir e dissipar o calor de forma eficazA alta condutividade térmica (cerca de 4,9 W/m·K), superior ao silício, pode conduzir e dissipar o calor de forma eficaz.O carburo de silício dopado de tipo P tem uma baixa resistividade e é adequado para a construço de junções PNCom o desenvolvimento dos veículos eléctricos e das tecnologias de energia renovável, a procura de carburo de silício tipo 4H-P deverá continuar a crescer.impulsionar a investigaço relacionada e os avanços tecnológicos.
Características:
· Tipo: o cristal 4H-SiC tem uma estrutura de rede hexagonal e apresenta excelentes características elétricas.
· Largo intervalo de banda: aproximadamente 3,26 eV para aplicações de alta temperatura e alta frequência.
· Dopagem do tipo P: a condutividade do tipo P é obtida por elementos dopantes como o alumínio, aumentando a concentraço do condutor dos poros.
· Resistividade: baixa resistência, adequada para dispositivos de alta potência.
· Alta condutividade térmica: aprox. 4,9 W/m·K, dissipador de calor eficaz, adequado para aplicações de alta densidade de potência.
· Resistência a altas temperaturas: pode funcionar de forma estável em ambientes de alta temperatura.
· Alta dureza: resistência mecnica muito elevada e resistência a condições adversas.
· Alta tenso de ruptura: capaz de suportar tensões mais elevadas e reduzir o tamanho do dispositivo.
· Baixa perda de comutaço: boas características de comutaço em
operações de alta frequência para melhorar a eficiência.
· Resistência corroso: boa resistência corroso a uma ampla gama de
produtos químicos.
· Ampla gama de aplicações: adequado para veículos elétricos, inversores, amplificadores de alta potência e outros campos.
Parmetros técnicos:
Aplicações:
1Eletrónica de potência
Conversores de potência: para adaptadores de potência e inversores
eficientes, de menor dimenso e de maior eficiência energética.
Veículos elétricos: Otimizar a eficiência de converso de energia
nos módulos de accionamento e nas estações de carregamento de
veículos elétricos.
2. Dispositivos de RF
Amplificadores de microondas: Usados em sistemas de comunicaço e
radar para fornecer desempenho confiável de alta frequência.
Comunicações por satélite: amplificador de alta potência para
satélites de comunicaço.
3Aplicações a altas temperaturas
Sensor: Sensor utilizado em ambientes de temperaturas extremas,
capaz de funcionar de forma estável.
Equipamento industrial: equipamento e instrumentos adaptados a
condições de alta temperatura.
4. Optoelectrónica
Tecnologia LED: Utilizada para melhorar a eficiência luminosa em
LEDs específicos de comprimento de onda curto.
Laser: Aplicações eficientes de laser.
5Sistema de energia.
Rede inteligente: Melhorar a eficiência energética e a estabilidade
na transmisso e gesto da rede de corrente contínua de alta tenso
(HVDC).
6. Eletrónica de Consumo
Dispositivo de carregamento rápido: Carregador portátil para
dispositivos eletrônicos que melhora a eficiência de carregamento.
7Energia renovável
Inverter solar: alcançar uma maior eficiência de converso de
energia nos sistemas fotovoltaicos.
Personalizaço:
O nosso substrato SiC está disponível no tipo 4H-P e é certificado
RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por
caso. Os detalhes da embalagem so caixas de plástico
personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos
termos de pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de
1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 2 polegadas.
Os nossos serviços:
1- Fabricaço e venda diretas.
2Citações rápidas e precisas.
3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.
4. ODM: O design personalizado é disponível.
5Rapidez e entrega preciosa.
Perguntas frequentes:
P: Qual é a forma de envio e custo?
A: ((1) Aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.
(2) Se você tem sua própria conta expressa, é ótimo. Se no, podemos
ajudá-lo a enviá-los.
O frete está de acordo com a liquidaço real.
P: Como pagar?
A: 50% de depósito, 50% antes da entrega T/T, Paypal.
Q: Qual é o seu MOQ?
R: (1) Para inventário, o MOQ é de 10pcs.
(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 25pcs.
P: Qual é o prazo de entrega?
A: (1) Para os produtos normalizados
Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a sua
encomenda.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 ou 3 semanas após a
sua encomenda.
2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero
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