Wafer de sementes de carburo de silício tipo 4H Dia 157±0,5 mm espessura 500±50um área de monocristal > 153 mm

Wafer de sementes de carburo de silício tipo 4H Dia 157±0,5 mm espessura 500±50um área de monocristal > 153 mm

Resumo da 4H Silicon Carbide Seed

No campo do crescimento de cristais de carburo de silício (SiC), as bolhas de sementes de SiC de nível de produço so essenciais para a criaço de cristais de alto desempenho.Estas wafers atuam como o material de partida para o crescimento de SiC de cristal único, utilizadas em dispositivos eletrónicos de alta temperatura e alta potência.e níveis de defeito para apoiar o crescimento de cristais de SiC com defeito minimizadoO uso de wafers de sementes garante estruturas cristalinas consistentes e é crucial em dispositivos de semicondutores de potência como diodos e transistores.As bolinhas de sementes de alta qualidade contribuem para a eficiência e durabilidade dos componentes de SiC em várias indústrias.

Foto da 4H Silicon Carbide Seed

Propriedades da semente de carburo de silício 4H

As bolinhas de sementes de SiC so especificamente concebidas para suportar as altas temperaturas necessárias para o crescimento de cristais de SiC.

A produço de sementes de sementes, como o transporte físico de vapor (PVT), depende de temperaturas superiores a 2000°C e a bolacha de sementes deve permanecer estável nestas condições extremas.As placas de produço so projetadas para ter uma estabilidade térmica excepcionalEsta resistência temperatura é crucial para crescer grandes,Cristais de SiC livres de defeitos que so utilizados em aplicações de alta potência e alta temperaturaOs wafers otimizados para crescimento em altas temperaturas ajudam a reduzir defeitos como deslocamentos e micropipes,assegurando um rendimento mais elevado do material SiC utilizável.

Aplicações da 4H Silicon Carbide Seed

1. Eletrónica de potência
   As bolinhas de sementes de 4H-SiC so amplamente usadas para o cultivo de cristais de SiC para eletrônicos de potência de alto desempenho.oferecer uma elevada eficiência energética, baixas perdas de comutaço e capacidade de operar a altas tensões e temperaturas.Sistemas de energia renovável (como inversores solares e turbinas eólicas)Os componentes base de 4H-SiC melhoram a eficiência energética e a durabilidade, tornando-os muito procurados nos sistemas de energia modernos.

2. Ambientes de altas temperaturas e adversidades
   O 4H-SiC® é perfeito para dispositivos que operam em ambientes extremos.Exploraço de petróleo e gásOs semicondutores baseados em 4H-SiC so utilizados em equipamentos militares, porque podem resistir a altas temperaturas, radiaço e exposiço química severa, mantendo um desempenho estável.Acionadores, e outros dispositivos eletrônicos nessas indústrias muitas vezes dependem de componentes 4H-SiC para operações confiáveis.

3. Dispositivos de alta frequência e RF
   As bolinhas de sementes de 4H-SiC so usadas na fabricaço de dispositivos de alta frequência e RF (radiofrequência).O 4H-SiC é preferido para sistemas de comunicaço de alta frequênciaOs dispositivos construídos com 4H-SiC oferecem elevada eficiência e menor consumo de energia, tornando-os essenciais nas infra-estruturas de telecomunicações, aeroespacial,e indústrias de defesa onde o desempenho e a confiabilidade so críticos.

4. LEDs e optoeletrónica
   O 4H-SiC serve como um substrato para o crescimento de cristais de nitreto de gálio (GaN), que so usados em LEDs azuis e ultravioleta (UV) e diodos laser.Estes dispositivos so essenciais em aplicações como iluminaço de estado sólidoA alta condutividade térmica e resistência mecnica do 4H-SiC fornecem uma plataforma estável para dispositivos GaN, melhorando sua eficiência e vida útil.

Especificações