5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção
Número do modelo:3C-N SiC
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:10 por cento
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:1000pc/month
Tempo de entrega:em 30days
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Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Descriço do produto:
5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecnica Grau de produço
3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material semicondutor de
banda larga com boas propriedades elétricas e térmicas,
especialmente adequado para alta frequência,aplicações de alta
potência e dispositivos eletrónicosA dopagem do tipo N é geralmente
obtida através da introduço de elementos como o nitrogénio (N) e o
fósforo (P), o que torna o material electronegativo e adequado para
uma variedade de projetos de dispositivos eletrônicos.A distncia é
de aproximadamente 3A dopagem do tipo N ainda mantém uma alta
mobilidade eletrônica, o que melhora o desempenho do dispositivo.A
excelente condutividade térmica ajuda a melhorar a capacidade de
dissipaço de calor dos dispositivos de energiaA sua resistência
mecnica é boa e é adequada para uso em ambientes adversos. Tem boa
resistência a uma ampla gama de produtos químicos e é adequado para
aplicações industriais.é utilizado em conversores de potência e
motores de alta eficiência, adequado para veículos elétricos e
sistemas de energia renovável.
Características:
· Larga distncia de banda: distncia de banda de aproximadamente 3,0
eV para aplicações de alta temperatura e alta tenso.
· Alta mobilidade dos elétrons: o doping do tipo N proporciona uma
boa mobilidade dos elétrons e melhora o desempenho geral do
dispositivo.
· Excelente condutividade térmica: possui excelente condutividade
térmica e melhora eficazmente o desempenho de dissipaço de calor,
adequado para aplicações de alta potência.
· Boa resistência mecnica: possui elevada resistência e resistência
compresso e é adequado para utilizaço em ambientes adversos.
· Resistência química: boa resistência a uma ampla gama de produtos
químicos, aumentando a estabilidade do material.
· Características eléctricas ajustáveis: Ao ajustar a concentraço
de dopagem, podem ser obtidas diferentes propriedades eléctricas
para satisfazer as necessidades de uma variedade de aplicações.
Parmetros técnicos:
Aplicações:
1- Eletrónica de potência: para conversores de potência, inversores
e accionadores de elevada eficiência, amplamente utilizados em
veículos eléctricos e sistemas de energia renovável.
2Equipamento de RF e Microondas: amplificadores de RF, equipamento
de microondas, especialmente adequados para sistemas de comunicaço
e radar.
3Optoelectronics: Pode ser usado como bloco de construço para LEDs
e detectores de luz, especialmente em aplicações azuis e
ultravioleta.
4Sensores: aplicados a uma ampla gama de sensores em ambientes de
alta temperatura e alta potência, proporcionando um desempenho
fiável.
5. Carregamento sem fio e gesto da bateria: Usado em sistemas de
carregamento sem fio e dispositivos de gesto da bateria para
melhorar a eficiência e o desempenho.
6Equipamento eléctrico industrial: Utilizado em sistemas
industriais de automaço e controlo para melhorar a eficiência
energética e a estabilidade do sistema.
Personalizaço:
O nosso substrato SiC está disponível no tipo 3C-N e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é 10pc e o preço é por caso. Os detalhes de embalagem so caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato SiC é de 5*5mm/10*10mm. O local de origem é a China.
Os nossos serviços:
1- Fabricaço e venda diretas.
2Citações rápidas e precisas.
3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.
4. ODM: O design personalizado é disponível.
5Rapidez e entrega preciosa.
Perguntas frequentes:
P: A sua empresa só trabalha com negócios de SIC?
R: Sim; no entanto, no cultivamos o cristal sic por nós mesmos.
P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações e forma,
tamanho com base em suas necessidades.
P: Onde está localizada a sua empresa?
R: A nossa empresa está localizada em Xangai, China.
P: Quanto tempo levará para receber os produtos?
R: Geralmente, levará 3~4 semanas para processar. Depende da e do
tamanho dos produtos.
5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção
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