Sic 3C-N Tipo Dimensão Mecânica Tipo condutor para sistemas de radar Grau de produção MPD zero
Número do modelo:3C-N SiC
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:10 por cento
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:1000pc/month
Tempo de entrega:em 30days
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Sic 3C-N Tipo Dimenso Mecnica Tipo condutor para sistemas de radar Grau de produço MPD zero
3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material semicondutor de
banda larga com boas propriedades elétricas e térmicas,
especialmente adequado para alta frequência,aplicações de alta
potência e dispositivos eletrónicosA dopagem do tipo N é geralmente
obtida através da introduço de elementos como o nitrogénio (N) e o
fósforo (P), o que torna o material electronegativo e adequado para
uma variedade de projetos de dispositivos eletrônicos.A distncia é
de aproximadamente 3A dopagem do tipo N ainda mantém uma alta
mobilidade eletrônica, o que melhora o desempenho do dispositivo.A
excelente condutividade térmica ajuda a melhorar a capacidade de
dissipaço de calor dos dispositivos de energiaA sua resistência
mecnica é boa e é adequada para uso em ambientes adversos. Tem boa
resistência a uma ampla gama de produtos químicos e é adequado para
aplicações industriais.é utilizado em conversores de potência e
motores de alta eficiência, adequado para veículos elétricos e
sistemas de energia renovável.
Características
- Ampla distncia de banda: distncia de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicações de alta temperatura e alta tenso.
- Alta mobilidade dos elétrons: o doping do tipo N proporciona uma boa mobilidade dos elétrons e melhora o desempenho geral do dispositivo.
- Excelente condutividade térmica: possui excelente condutividade térmica e melhora efetivamente o desempenho de dissipaço de calor, adequado para aplicações de alta potência.
- Boa resistência mecnica: Tem alta dureza e resistência compresso e é adequado para uso em ambientes adversos.
- Resistência química: Boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos, aumentando a estabilidade do material.
- Características elétricas ajustáveis: Ao ajustar a concentraço de dopagem, podem ser alcançadas diferentes propriedades elétricas para satisfazer as necessidades de uma variedade de aplicações.
Parmetro técnico
Propriedade | No...Tipo3C-SiC, Cristal único |
| Parmetros da malha | a=4,349 Å |
| Sequência de empilhamento | ABC |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 |
| Densidade | 20,36 g/cm3 |
| Coeficiente de expanso térmica | 3.8×10-6/K |
| Índice de refraço @750nm | n=2.615 |
| Constante dielétrica | c~9.66 |
Conductividade térmica | 3 a 5 W/cm·K@298K |
| Falta de frequência | 2.36 eV |
| Campo elétrico de ruptura | 2-5×106V/cm |
Velocidade da deriva de saturaço | 2.7×107m/s |
※ Carburo de silício material Propriedades é apenas para referência.
Aplicações
1- Eletrónica de potência: para conversores de potência, inversores
e accionadores de elevada eficiência, amplamente utilizados em
veículos eléctricos e sistemas de energia renovável. 2Equipamento de RF e Microondas: amplificadores de RF, equipamento
de microondas, especialmente adequados para sistemas de comunicaço
e radar. 3Optoelectronics: Pode ser usado como bloco de construço para LEDs
e detectores de luz, especialmente em aplicações azuis e
ultravioleta. 4Sensores: Aplicados a uma ampla gama de sensores em ambientes de
alta temperatura e alta potência, proporcionando um desempenho
fiável. 5. Carregamento sem fio e gesto da bateria: Usado em sistemas de
carregamento sem fio e dispositivos de gesto da bateria para
melhorar a eficiência e o desempenho. 6Equipamento eléctrico industrial: Utilizado em sistemas
industriais de automaço e controlo para melhorar a eficiência
energética e a estabilidade do sistema.
Personalizaço
O nosso substrato SiC está disponível no tipo 3C-N e é certificado
RoHS. A quantidade mínima de encomenda é 10pc e o preço é por caso.
Os detalhes de embalagem so caixas de plástico personalizadas.O
tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de
pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês.
O tamanho do substrato de SiC é de 6 polegadas.
Perguntas frequentes
1.P: Quais so as características dos substratos de carburo de silício 3C-N?
R: O substrato de carburo de silício do tipo 3C-N tem uma elevada mobilidade eletrônica, o que faz com que o dispositivo tenha uma corrente de túnel FN menor e uma maior fiabilidade na preparaço de óxido,e pode melhorar muito o rendimento do produto do dispositivoAo mesmo tempo, o 3C-SiC tem uma largura de lacuna de banda menor, o que também oferece vantagens para a sua aplicaço na fabricaço de dispositivos.
2Q: Como o tamanho do substrato de carburo de silício afeta a sua aplicaço?
R: O tamanho (dimetro e espessura) do substrato de carburo de silício é um dos seus principais indicadores.E quanto menor o custo do chip unitárioAo mesmo tempo, o substrato de grande tamanho também é mais propício dissipaço de calor e estabilidade do dispositivo.Substrato de carburo de silício está constantemente se desenvolvendo na direço de grande tamanho.
3Q: Qual é a relaço entre o substrato SIC 3C-N e a folha epitaxial?
R: O substrato de carburo de silício de tipo 3C-N é a camada de suporte para o crescimento da folha epitaxial.e o seu tipo de dopagem, a concentraço e espessura do dopante podem ser controladas com preciso de acordo com os requisitos de concepço do dispositivo.A qualidade do substrato afeta directamente a qualidade de crescimento da folha epitaxial e o desempenho do dispositivo.
Etiqueta: #Substrato de carburo de silício, #C-N tipo SIC, #Materiais semicondutores.
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