Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV
Número do modelo:Substratos de germânio
Local de origem:China
Condições de pagamento:T/T
Tempo de entrega:2-4 semanas
Materiais::Único cristal do Ge
Diâmetro::0.5~150mm
Contate
Add to Cart
Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes:
No 13 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Descriço do produto
Substratos de semicondutores de wafer de germnio < 111> concentrando CPV fotovoltaico
O germnio de alta pureza é dopado com elementos trivalentes (por exemplo, ínio, gálio, boro) para obter semicondutores de germnio de tipo P.e elementos pentavalentes (e.g., antimônio, arsénio e fósforo) dopados para obter semicondutores de germnio de tipo N. Eles têm alta mobilidade de elétrons e alta mobilidade de buracos.Os substratos de germnio de alta qualidade podem ser utilizados em energia fotovoltaica concentrada (CPV), painéis solares no espaço e aplicações de diodos emissores de luz (LED) de alto brilho.
Características
- A constante de rede é maior do que a do silício, o que favorece a construço de heterostruturas.
- A elevada mobilidade dos elétrons, cerca de 3 vezes superior do silício, é favorável fabricaço de dispositivos electrónicos de alta velocidade.
- A pequena largura de banda (0,67 eV) torna-o adequado para aplicações de detecço fotoelétrica e emissões infravermelhas.
É mais sensível radiaço e é adequado para equipamentos eletrónicos sensíveis radiaço.
A tecnologia de processamento é relativamente complexa e o custo é elevado.
Parmetros técnicos
Aplicações
1- Eletrónica analógica e RF de alta frequência: diodos de microondas, transistores, circuitos integrados; Equipamento electrónico na banda de frequências de microondas, como radar e comunicações.
2Detecço e emisso fotoeléctrica por infravermelho: detector infravermelho, aparelho de imagem térmica; diodos emissores de infravermelho, diodos laser.
3Equipamento electrónico sensível radiaço: Heterostrutura de semicondutores compostos: Sistema de aviónica aeroespacial; Centrais nucleares e equipamento electrónico no domínio militar.
4Heterostrutura de semicondutores compostos: materiais de substrato para compostos III-V, tais como GaAs, InP, etc.; células solares de estrutura heterogénea, diodos laser, etc.
Os nossos serviços
1- Fabricaço e venda diretas.
2Citações rápidas e precisas.
3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.
4. ODM: O design personalizado é disponível.
5Rapidez e entrega preciosa.
Perguntas frequentes
1. P: Como pagar?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Pagamento seguro e
comércio
Garantia no e etc..
2P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas
necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações para os
seus componentes ópticos
com base nas suas necessidades.
3Q: Qual é o seu MOQ?
R: (1) Para inventário, o MOQ é de 3pcs.
(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 25pcs.
Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV
Inquiry Cart
0