2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau
Número do modelo:Semente de cristal SiC
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:10 por cento
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:1000pc/month
Tempo de entrega:em 30days
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de cristal de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau
O carburo de silício (SiC), comumente referido como carburo de silício, é um composto formado pela combinaço de silício e carbono.que é amplamente utilizado em materiais semicondutoresO carburo de silício é segundo apenas ao diamante em dureza, tornando-o uma excelente ferramenta abrasiva e de corte.Boa condutividade térmica torna-o adequado para aplicações de alta temperatura, como LEDs e eletrônicos de potência. Boa resistência a produtos químicos, especialmente ácidos e álcalis. Boa resistência a produtos químicos, especialmente ácidos e álcalis.Devido s suas propriedades superiores, os cristais de sementes de carburo de silício tornaram-se um material indispensável na indústria e na tecnologia modernas.
Características:
- Alta dureza:O carburo de silício é o segundo mais duro do que o diamante, tornando-o uma excelente ferramenta abrasiva e de corte.
- Alta condutividade térmica:A boa condutividade térmica torna-o adequado para aplicações de alta temperatura, como LEDs e eletrônicos de potência.
- Resistência corroso:Boa resistência a produtos químicos, especialmente ácidos e álcalis.
- Estabilidade a altas temperaturas:Pode ainda manter boas propriedades físicas e químicas em ambiente de alta temperatura.
- Baixo coeficiente de expanso térmica:torna menos suscetível a deformaço quando a temperatura muda, tornando-o adequado para aplicações de preciso.
Parmetro técnico
Aplicações:
1Eletrônica: amplamente utilizada na fabricaço de dispositivos
semicondutores de alta potência e alta frequência, como MOSFETs e
diodos. 2. Abrasivos e ferramentas de corte: Usados para fazer papel de
areia, moagem de pedras e ferramentas de corte. 3Materiais cermicos: utilizados para produzir peças de cermica
resistentes ao desgaste e alta temperatura. 4Dispositivos optoelectrónicos: Excelente desempenho em aplicações
optoelectrónicas como LEDs e lasers. 5Materiais de gesto térmica: utilizados em dissipadores de calor e
materiais de interface térmica para melhorar o desempenho de
dissipaço de calor dos dispositivos eletrónicos.
Personalizaço:
O nosso substrato de sementes de cristal SiC é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por caso. Os detalhes de embalagem so caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de abastecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 2/4/6/8 polegadas.
Perguntas frequentes:
1.P: Como preparar cristais de sementes de carburo de silício tipo 4H?
A: A preparaço de cristais de sementes de carburo de silício tipo 4H envolve normalmente um processo complexo, incluindo a selecço de matérias-primas adequadas, purificaço fina, controlo das condições de crescimento,etc.Os métodos de preparaço comuns incluem o método de transferência de vapor físico (PVT).A qualidade cristalina e a orientaço cristalina do cristal de semente satisfazem requisitos específicos.
2Q: Qual é a diferença entre os tipos de sementes de carburo de silício 4H e 6H?
R: Existem diferenças na estrutura cristalina entre os tipos 4H e 6H de cristais de sementes SIC, o que leva a diferenças nas suas propriedades físicas e químicas.Os cristais de semente do tipo 4H SIC geralmente têm maior mobilidade de elétrons e largura de banda mais largaA semente de SIC tipo 6H pode mostrar vantagens únicas em algumas aplicações específicas, como o campo óptico.
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2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau
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