Processo de manufatura do pó de metal de Balling do plasma da radiofrequência com alta velocidade

equipamento para o si, W da atomizaço do pó de metal de Balling do pó do plasma da radiofrequência 1~3KG

Vista geral

A tocha de plasma da radiofrequência possui a densidade de alta energia, força forte do aquecimento, e seu arco de plasma é enorme. Devido a nenhuns elétrodos disponíveis, no pode gerar a contaminaço aos produtos causados pela evaporaço do elétrodo.

O princípio de tecnologia de balling do pó do plasma da radiofrequência refere esse gás inerte (como o argônio) é ionizado sob o efeito da fonte de alimentaço de alta frequência e formado como o plasma de alta temperatura estável do gás inerte; e o pó cru irregular é pulverizado pelo gás de portador (nitrogênio) no plasma através do dispositivo de alimentaço do pó, e estas partículas do pó absorvem a grande quantidade de calor no plasma de alta temperatura e suas superfícies so derretidas rapidamente; estes pó derretido so enviados ento no dispositivo da reaço refrigerar extremamente de alta velocidade, e rápido sob o ambiente do gás inerte. Consequentemente, so refrigerados para baixo e solidificados no pó esférico pela tenso de superfície; além disso, so enviados no material que recolhe a sala.

Características

• Alta temperatura do aquecimento, velocidade refrigerando rápida, nenhuma contaminaço do elétrodo;
• Os materiais da reaço so dispersados dinamicamente na tocha de plasma, desta maneira pode evitar a acumulaço e o crescimento dos pós, e é aplicada ao derretimento e ao balling de partículas do pó;
• Apropriado para produzir o tungstênio, o molibdênio, o si, o W, o WC, óxido de alumínio, óxido de silicone, óxido de zircônio e o outro metal e pó refratários do óxido
• A forma regular, spheroidization alto, alisa o flowability de superfície e bom; e a densidade do pó e densidade de maioria aumentada

Tecnologia da estrutura de módulo do núcleo

O pó de balling da tocha de plasma da radiofrequência que produz o equipamento é construído com seguimento de sete componentes e de componentes periféricos:

• Tocha de plasma da radiofrequência;
• Fonte de alimentaço do plasma da radiofrequência;
• Fornecimento do gás e sistema de alimentaço do pó;
• Sala da reaço, sala da coleço e apoio;
• Sistema de bombeamento do vácuo;
• Sistema de controlo bonde e de mediço;
• Unidade da água refrigerando.

Tocha de plasma da radiofrequência:

A tecnologia de núcleo do grupo do todo de equipamento pertence tecnologia de direitos de propriedade intelectual independentes. A tubulaço de obrigaço cermica e os bocais divergentes so adotados. O equipamento pode correr sob o ambiente da atmosfera do gás inerte, da reduço e da oxidaço.

Fonte de alimentaço de alta frequência do plasma:

Poder 100kW, frequência 3.0±0.5MHz.

Abastecimento de gás e sistema de alimentaço do pó:

O dispositivo de alimentaço do pó adota um produto importado feito por Canadense TEKNA Empresa, e envia o material do pó na tocha de plasma. Os dimetros de partículas do pó so 10-200µm; o sistema de fornecimento do gás aplica o medidor de fluxo preciso do flutuador (estrada 4), fornecendo o gás de trabalho (argônio) para a tocha. Sala da reaço, recolhendo a sala e o apoio: a sala da reaço e a sala do recolhimento utilizam a estrutura refrigerar de água da dupla camada, e é feita de aço inoxidável, inteiramente adotando o teste padro da selagem do vácuo; o apoio pulverizador-é pintado pelo aço carbono, os materiais parciais so liga de alumínio que so fortes, duros, constantes e seguros.

Sistema de bombeamento:

É equipado com a bomba de vácuo decirculaço + bomba mecnica + bomba das raizes + válvula + tubulações de regulamento + foles ondulados, e comutado para manter a presso negativa exigida para o sistema que começa e que opera-se. O vácuo extremo é 8 x 10^-2 Pa.c