Módulo de alta velocidade do transistor MG200Q1US51 do módulo do poder superior IGBT de Toshiba

Brand Name:Toshiba
Certification:ROHS,CE,UL,CCC,VDE
Model Number:MG200Q1US51
Minimum Order Quantity:1pcs
Delivery Time:0-2 days
Payment Terms:Western Union, T/T, L/C,Paypal
Contate

Add to Cart

Dos Estados-Site
Guangzhou Hebei China
Endereço: 10/F, construção de Jia Yue, estrada de Chebei, distrito de Tianhe, Guangzhou, China
Fornecedor do último login vezes: No 28 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

Módulo do transistor do módulo de poder MG200Q1US51 de Toshiba IGBT

MG200Q1US51

 

 

Descriço do produto

 

Fabricado perto: Toshiba América, Inc.
Número da peça: MG200Q1US51

Categoria da parte: Transistor
Descriço: 300A, 1200V, N-CANAL IGBT
Tenso do Coletor-emissor: 1200V
Tenso do Porta-emissor: 20V
Corrente de coletor (C.C.): 300A
Corrente dianteira: (C.C.): 200A
Dissipaço de poder do coletor: 1500W
Temperatura de junço: 150C
Tenso do isolamento (C.A. 1 mínima): 2500V
Capacidade entrada (VCE=10V, VGE=0, f=1MHz): 24nF
Tempo de comutaço: (Carga indutiva VCC=600V, IC=200A, VGE=15V, RG=4.7Ω)
- Tempo de ligaço: tipo 0.05s.
- Tempo de elevaço: tipo 0.05s.
- Tempo de ligaço: tipo 0.2s.
- Tempo de atraso da volta-fora: tipo 0.5s.
- Tempo de queda: tipo 0.1s. ; máximo 0.3s.
- Tempo da volta-fora: tipo 0.6s.
Tenso dianteira (IF=200A, VGE=0): tipo 2.4V. ; 3.5V máximo
Tempo de recuperaço reversa: tipo 0.15s. ; máximo 0.3s.
(IF=200A, VGE=-10V, di/dt=700A/s)

 

 

Características

Impedncia alta da entrada
Alta velocidade
Baixa tenso de saturaço
Realce-modo
Os elétrodos so isolados do caso
 

 

F&A

 

Você tem algum sócio neste campo?

Nossa empresa tem sócios do bom-relacionamento no campo de controle da automatizaço. Assim nós podemos sempre obter o supporot para o preço e o estoque.

 

Que é sua previso para esta indústria?

Porque cada vez mais o trabalho feito pela máquina, nosso campo tem o propect elevado por muitos anos.

 

Que é seus recursos?

Nossa equipe e nosso canal em comprar e em vendas.

 

China Módulo de alta velocidade do transistor MG200Q1US51 do módulo do poder superior IGBT de Toshiba supplier

Módulo de alta velocidade do transistor MG200Q1US51 do módulo do poder superior IGBT de Toshiba

Inquiry Cart 0