Módulos de Infineon Igbt do controle de BTG, módulo de alta frequência de BSM150GT120DN2 Igbt

Transistor BSM150GT120DN2 ou BSM150GT12ODN2 de Infineon IGBT

BSM150GT120DN2

Descriço do produto

Tipo: Infineon

Modelo: BSM150GT120DN2

Método de controle: BTG

Número de polos: multipolar

Material de embalagem: pacote plástico

Forma do pacote: forma lisa

Velocidade da parada programada: de alta frequência (rápido)

Funço refrigerando: sem dissipador de calor

Características de frequência: alta frequência

Características do poder: poder superior

Média avaliado para a frente atual: 150 (a)

Corrente do disparador do polo do controle: 125 (miliampère)

Corrente estável máxima: 150 (a)

Tenso máxima repetitiva reversa: (v) 1200

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