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A prata de revestimento direto PVD em filtros dielétricos cermicos é uma tecnologia de revestimento avançada aplicada com estaço base 5G e outros semicondutores para indústrias eletrônicas.Uma aplicaço típica é o Substrato Radiante CermicoDeposiço de película condutora de prata/cobre em óxido de alumínio (Al2O3), substratos de AlN por tecnologia de pulverizaço a vácuo PVD,tem sobretudo uma grande vantagem em relaço aos métodos de fabrico tradicionais: DBC LTCC HTCC, que tem custos de produço muito mais baixos. Royal Technology’s team collaborated with our customer to develop the PVD Silver Plating process successfully applying with sputtering technology which can replace conventional liquid silver brushing process.
Aplicações típicas
Só para citar alguns, para mais aplicações, por favor contacte a Royal Tech.
O sistema RTAS1215 batch Sputtering é a verso atualizada, o mais novo sistema tem várias vantagens:
Processo mais eficiente
1- O revestimento de dois lados está disponível pelo projeto de
fixaço de rotaço
2Até 8 flanges de cátodo planos padro para fontes múltiplas
3. Grande capacidade de até 2,2 m2 de chips cermicos por ciclo
4. Totalmente automático, PLC + Touch Screen, sistema de controlo
ONE-touch
Baixo Custo de Produço
1Equipado com 2 conjuntos de bombas moleculares de suspenso
magnética, tempo de arranque rápido, manutenço gratuita
2Potência máxima de aquecimento
3- Forma octogonal da cmara para utilizaço óptima do espaço, até 8
fontes de arco e 4 cátodos de pulverizaço para deposiço rápida de
revestimentos
Especificações técnicas
Modelo: RTSP-Ag1215
Altura da cmara (mm): 1500
Dimetro da cmara (mm): φ1200
Flanca de montagem de catodos de pulverizaço: 4
Flange de montagem da fonte de íons: 1
Arco catódico de montagem de flange: 8
Satélites (mm): 16 x Φ150
Potência de desvio pulsado (KW): 36
Potência de pulverizaço (KW): DC36 + MF36
Potência de arco ((KW): 8 x 5
Potência da fonte iônica (KW): 5
Potência de aquecimento (KW): 36
Altura efetiva do revestimento (mm): 1020
Bomba molecular de suspenso magnética: 2 x 3300 L/S
Bomba de raízes: 1 x 1000 m3/h
Bomba de válvula rotativa: 1 x 300 m3/h
Bomba de retenço: 1 x 60 m3/h
Capacidade: 2,2 m2
Área de instalaço (L x L x H) mm: 4200*6000*3500
Insite
Tempo construído: desde 2016
Quantidade: 3 conjuntos
Local: China
Em comparaço com a enorme procura do mercado, a produtividade do sistema por lotes é baixa;Temos dedicado o desenvolvimento do sistema de pulverizaço em linha (continua a linha de deposiço de pulverizaço) com dispositivos de carregamento / descarregamento automático robóticoQualquer pessoa interessada neste sistema, por favor contacte o nosso técnico para mais especificações.