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O sistema de deposiço de alto vácuo CsI foi concebido exclusivamente para a metalizaço de CsI em ecrs de cintilaço num ambiente de vácuo extremamente elevado.
Os scintilladores CsI variam de espessura de 200 a 600 μm, com uma elevada uniformidade de espessura e desempenho de brilho.
Características de deposiço do iodeto de césio (CsI):
b. Sistemas de transmisso de imagens de alta resoluço espacial;
Resposta rápida para obtenço de imagens mais nítidas;
Áreas de imagem de borda a borda de classe superior;
Capas de absorço óptica ou camadas de reflexo;
Baixa dose de raios-X do doente;
Aplicaço- para inspecço e controlo de segurança, educaço em física de alta
energia, detecço de radiaço nuclear e imagens médicas: exame de
tórax, mamografia, dentária interoral e panormica.
Substratos aplicados:Vidro TFT, chapa de fibra óptica, chapa de carbono amorfo, chapa de
alumínio
Características do equipamento:
Confiabilidade:
Operaço ininterrupta 24 horas por dia, 7 dias por semana;
Inficon Film Thickness Controller para monitorizar a espessura da
película em linha.
Preciso do controlo da temperatura: ±1 °C, configuraço em várias
fases, registo e controlo automáticos dos dados de temperatura
Estacionamentos rotativos equipados com servomotor para alta
preciso e estabilidade.
Segurança:
Bomba de vácuo elevado: Bomba molecular de suspenso magnética, com
dispositivo de sopro de gás nitrogénio para evitar a exposiço do
material perigoso ao ar;
Todos os eléctrodos esto equipados com mangas de protecço de
segurança.
Repetitividade e Reproducibilidade:
Através de um sistema de controlo de parmetros de alta preciso,
Software e programas de controlo automático de processos,
Operaço fácil de usar.
Eficiência:
O modelo CsI-950A+ é com estrutura de rack de 2 rotações baseada no
modelo CsI-950 de geraço 1.
Capacidade dupla para o substrato de tamanho máximo: 500 x 400 mm.
Especificações técnicas
Descriço | RT-CsI950 |
|
Cmara de deposiço (mm)
| φ950 x H1350 | φ800 x H800 |
Capacidade | 2 | 1 |
Fontes de evaporaço | 2 | 4 |
Seco e desumidade | Lmpada de iodo-volframo Max. 300°C | Lmpada de iodo-volframo Max. 200°C |
Presso de vácuo final (Pa) | 8.0×10-5Pa | 5.0×10-4Pa |
Controlador de espessura da película de deposiço | Controle de quartzo x 1 | NO
|
Consumo de energia (KW) | Max. cerca de 50 Médio aprox. 20 | Max. cerca de 20 Médio aprox. 10 |
Impresso (L*W*H) | 3000*2150*2100 mm | 1800*2300*2100 mm |
Sistema de operaço e controlo
| Norma CE Mitsubishi PLC+ touch screen Programa de operaço com backup |
Além do equipamento RT-CsI950, também fornecemos as máquinas de pós-processamento que geram uma camada protetora na parte superior do filme CsI.
-- RTEP800, que utiliza a tecnologia de revestimento por evaporaço térmica.Por favor, entre em contato conosco para mais especificações, a Royal Technology tem a honra de lhe fornecer soluções totais de revestimento.