Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:8H02ETS
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
Detalhes do produto
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Detalhes do produto
MOSFET do modo do realce de 20V N+N-Channel
DESCRIÇO
A tecnologia avançada da trincheira 8H02ETSuses a
forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e
operaço com as tensões da porta to baixas quanto 2.5V.
CARACTERÍSTICAS GERAIS
VDS = 20V, IDENTIFICAÇO = 7A
8H02TS RDS (SOBRE) < 28mΩ @ VGS=2.5V
RDS (SOBRE) < 26mΩ @ VGS=3.1V
RDS (SOBRE) < 22mΩ @ VGS=4V
RDS (SOBRE) < 20mΩ @ VGS=4.5V
Avaliaço do ESD: 2000V HBM
Aplicaço
Proteço da bateria
Gesto do poder do interruptor da carga
Marcaço do pacote e informaço pedindo
| Identificaço do produto | Bloco | Marcaço | Qty (PCS) |
| 8H02ETS | TSSOP-8 | 8H02ETS WW YYYY | 5000/3000 |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notável de outra maneira)
| Parmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
| Tenso da Dreno-fonte | VDS | 20 | V |
| Tenso da Porta-fonte | VGS | ±12 | V |
| Drene Current-Continuous@ Atual-pulsou (nota 1) | Identificaço | 7 | V |
| Dissipaço de poder máxima | Paládio | 1,5 | W |
| Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Resistência térmica, Junço--ambiental (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
NOTAS: 1. avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela
temperatura de junço máxima. 2. superfície montada FR4 na placa,
segundo do ≤ 10 de t. 3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de
pulso, ≤ 2% do ciclo de dever. 4. garantido pelo projeto, no
sujeito aos testes de produço.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa
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