MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
Fornecedor do último login vezes:
No 14 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
MOSFET do modo do realce de 20G04S 40V N+P-Channel
Descriço
A trincheira avançada dos usos 20G04S
tecnologia para fornecer R excelenteDS(SOBRE) e baixa carga da porta.
Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar a
o nível deslocou o interruptor lateral alto, e para um anfitrio de outro
aplicações
Características gerais
N-canal
VDS =40V, ID =20A
RDS(SOBRE)< 35m=""> GS=10V
RDS(SOBRE)< 42m=""> GS=4.5V
P-canal
VDS =-40V, ID = -18A
RDS(SOBRE)<40m> GS=-10V
RDS(SOBRE)< 70m=""> GS=-4.5V
Poder superior e capacidade entregando atual
O produto sem chumbo é adquirido
Pacote de superfície da montagem
Aplicaço
Aplicaço do interruptor do poder do ●
Circuitos duramente comutados e de alta frequência do ●
Fonte de alimentaço ininterrupta do ●
Marcaço do pacote e informaço pedindo
Avaliações máximas absolutas (TC=25℃unless notáveis de outra
maneira)
Características elétricas de N-CH (TA=25℃unless notável de outra
maneira)
Características elétricas de P-CH (TA=25℃unless notáveis de outra
maneira)
Notas:
1. Avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura
de junço máxima.
2. Superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. Teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de
dever.
4. Garantido pelo projeto, no sujeito produço
Características típicas do N-canal
Características típicas do P-canal
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V
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