MOSFET complementar RDS do transistor de poder do Mosfet de HXY4606 30V (SOBRE) < 30m
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:HXY4606
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Shenzhen Guangdong China
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Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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MOSFET complementar de HXY4606 30V
Descriço
O HXY4606 usa technologyMOSFETs avançados da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e o baixo gatecharge. Os MOSFETs complementares podem ser toform usado um o interruptor lateral alto deslocado nível, e para aplicações de um ofother do anfitrio.
Características elétricas de N-CH (TA=25℃unless notáveis de outra
maneira)
A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.
o valor em toda a aplicaço dada depende do projeto específico da placa do usuário.
B. A dissipaço de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junço--ambiental do ≤ 10s. C. a avaliaço repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junço TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilizaço para manter o initialTJ=25°C.
D. OθJAde R é a soma da impedncia térmica da junço para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.
E. As características estáticas em figuras 1 6 so obtidas usando pulsos de <300µs, máximo do ciclo de dever 0,5%.
F. Estas curvas so baseadas na impedncia térmica junço--ambiental que é medida com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junço máxima de TJ(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliaço do pulso.
N-canal: CARACTERÍSTICA ELÉTRICA E TÉRMICA TÍPICA
Características elétricas do P-canal (TJ=25°C salvo disposiço em
contrário)
A. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado na placa de
1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com Ta
=25°C.
o valor em toda a aplicaço dada depende do projeto específico da
placa do usuário.
B. O paládio da dissipaço de poder é baseado em TJ (max) =150°C,
usando a resistência térmica junço--ambiental do ≤ 10s.
C. a avaliaço repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações
da temperatura de junço TJ (max) =150°C. é baseada em de baixa
frequência e em tempos de utilizaço para manter-se
initialTJ=25°C.
D. O RθJA é a soma da impedncia térmica da junço para conduzir RθJL
e conduzi-lo a ambiental.
E. As características estáticas em figuras 1 6 so obtidas usando
pulsos de <300µs, máximo do ciclo de dever 0,5%.
F. Estas curvas so baseadas na impedncia térmica junço--ambiental
que é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com
2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junço máxima de TJ
(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliaço do pulso.
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P-canal: CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
MOSFET complementar RDS do transistor de poder do Mosfet de HXY4606 30V (SOBRE) < 30m
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