Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:WSF3012
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
WSF3012 N-Ch e MOSFET do P-canal
Descriço
O WSF3012 é a trincheira N-ch do desempenho o mais alto
e MOSFET P-ch com densidade de pilha alta extrema,
qual forneça RDSON excelente e bloqueie a carga para
a maioria das aplicações síncronos do conversor do fanfarro.
A reunio WSF3012 o RoHS e o produto verde
exigência 100% EAS garantido com funço completa
confiança aprovada.
Produto veraniço
Características
- tecnologia alta avançada da trincheira da densidade de pilha de z
- carga super da porta de z baixa
- diminuiço excelente do efeito de z CdV/dt
- z 100% EAS garantido
- dispositivo do verde de z disponível
Aplicações
Ponto--carga de alta frequência de z síncrono
Conversor do fanfarro para MB/NB/UMPC/VGA
sistema de energia dos trabalhos em rede DC-DC de z
inversor do luminoso de z CCFL
Avaliações máximas absolutas
Dados térmicos
Características elétricas do N-canal (℃ TJ=25, salvo disposiço em
contrário)
Características garantidas da avalancha
Características de diodo
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em uma 1 placa de
inch2 FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦
2% do ciclo de dever
3. A dissipaço de poder é limitada pela temperatura de junço 150℃
4. Os dados so teoricamente os mesmos como a identificaço e IDM, em
aplicações reais, devem ser limitados pela dissipaço de poder
total.
Características elétricas do P-canal (℃ TJ=25, salvo disposiço em
contrário)
Características garantidas da avalancha
Características de diodo
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em uma 1 placa de
inch2 FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦
2% do ciclo de dever
3. Os dados de EAS mostram a avaliaço máxima. A condiço de teste é
VDD=-25V, VGS=-10V, L=0.1mH, IAS=-27.2A
4. A dissipaço de poder é limitada pela temperatura de junço 150℃
5. O valor mínimo é garantia testada EAS de 100%.
6. Os dados so teoricamente os mesmos como a identificaço e IDM, em
aplicações reais, devem ser limitados pela dissipaço de poder
total.
Características típicas do N-canal
Características típicas do P-canal
Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
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