Transistor de poder da ponta de A94 PNP que comutam rapidamente o tipo do Triode do semicondutor do silicone
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:A94
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A94 (PNP)
CARACTERÍSTICA
Alta tenso da diviso
MARCAÇO
Código de A94=Device
O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal
Z=Rank do hFE
XXX=Code
INFORMAÇO PEDINDO
| Número da peça | Pacote | Método da embalagem | Quantidade do bloco |
| A94 | TO-92 | Volume | 1000pcs/Bag |
| A94-TA | TO-92 | Fita | 2000pcs/Box |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da ector-base de Coll | -400 | V |
| VCEO | Tenso do ector-emissor de Coll | -400 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | -5 | V |
| MIMC | Corrente do ector de Coll - contínua | -0,2 | A |
| ICM | Corrente do ector de Coll - pulsada | -0,3 | A |
| PC | Dissipaço de poder do ector de Coll | 625 | mW |
| RθJA | O Thermal resiste o ance da junço a ambiental | 200 | ℃ /W |
| TJ | Temperatura de junço | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MIMC=-100ΜA, ISTO É =0 | -400 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC=-1mA, IB=0 | -400 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB=-400V, ISTO É =0 | -0,1 | μA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE=-400V, IB=0 | -5 | μA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE=-10V, IC=-10mA | 80 | 300 | ||
| hFE (2) | VCE=-10V, IC=-1mA | 70 | ||||
| hFE (3) | VCE=-10V, IC=-100mA | 60 | ||||
| hFE (4) | VCE=-10V, IC=-50mA | 80 | ||||
tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) (1) | MimC=-10mA, IB=-1mA | -0,2 | V | ||
| VCE (sentado) (2) | MimC=-50mA, IB=-5mA | -0,3 | V | |||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | MimC=-10mA, IB=-1mA | -0,75 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz | 50 | Megahertz |
CLASSIFICAÇO DEFEde h(2)
| GRAU | A | B | C |
| ESCALA | 80-100 | 100-200 | 200-300 |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Transistor de poder da ponta de A94 PNP que comutam rapidamente o tipo do Triode do semicondutor do silicone
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