Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
Fornecedor do último login vezes:
No 14 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D965 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Amplificador audio de Ÿ
Unidade do flash de Ÿ de cmera
Circuito do interruptor de Ÿ
MARCAÇO
Código de D965=Device
O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando,
se nenhum, o dispositivo normal
Z=Rank do hFE, XXX=Code
INFORMAÇO PEDINDO
| Número da peça | Pacote | Método da embalagem | Quantidade do bloco |
| D965 | TO-92 | Volume | 1000pcs/Bag |
| D965-TA | TO-92 | Fita | 2000pcs/Box |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Medidor de Para | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 42 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 22 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 6 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | 5 | A |
| PD | Dissipaço de poder do coletor | 750 | mW |
| R0 JA | O Thermal resiste a junço da ROM do ance f a ambiental | 166,7 | Š/W |
| Tj | Temperatura de junço | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura do orage do St | -55 ~+150 | Š |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | MINUTO | TIPO | Max | UNIDADE |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MimC=0.1mA, ISTO É =0 | 42 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC=1mA, IB=0 | 22 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = 10µA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB=30V, ISTO É =0 | 0,1 | µA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB=6V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE=2V, IC= 0,15 miliampères | 150 | |||
| hFE (2) | VCE= 2V, IC = 500 miliampères | 340 | 2000 | |||
| hFE (3) | VCE=2V, IC = 2A | 150 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MimC=3000mA, IB=100 miliampère | 0,35 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE=6V, IC=50mA, f=30MHz | 150 | Megahertz |
CLASSIFICAÇO DEFEde h(2)
| Grau | R | T | V |
| Escala | 340-600 | 560-950 | 900-2000 |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN
Inquiry Cart
0