Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:3DD13002B
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13002B (NPN)
CARACTERÍSTICA
Aplicações do interruptor do poder
MARCAÇO
código 13002B=Device
O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal
XXX=Code
INFORMAÇO PEDINDO
| Número da peça | Pacote | Método da embalagem | Quantidade do bloco |
| 3DD13002B | TO-92 | Volume | 1000pcs/Bag |
| 3DD13002B-TA | TO-92 | Fita | 2000pcs/Box |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 600 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 400 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 6 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | 0,8 | A |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 0,9 | W |
| TJ | Temperatura de junço | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55 ~ 150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo |
Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MimC=100μA, ISTO É =0 | 600 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC=1mA, IB=0 | 400 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB= 600V, ISTO É =0 | 100 | µA | ||
| ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 100 | µA | |||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 100 | µA | ||
Ganho urrent da C.C. c | hFE1 | VCE= 10 V, IC=200mA | 9 | 40 | ||
| hFE2 | VCE= 10 V, IC=0.25mA | 5 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MimC=200mA, IB=40mA | 0,5 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | MimC=200mA, IB=40mA | 1,1 | V | ||
Frequência da transiço |
fT | VCE=10V, IC=100mA f =1MHz |
5 |
Megahertz | ||
| Tempo de queda | tf |
MIMC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Tempo de armazenamento | ts | 2,5 | µs |
CLASSIFICAÇO DEFEde h(2)
| Escala | 9-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote TO-92
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| Φ | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa
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