Interruptor do transistor de 3DD13003 NPN, dissipação do coletor dos transistor 1.25W da série da ponta
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
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TO-251-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13003 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Aplicações do interruptor do poder
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 700 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 400 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 9 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | 1,5 | A |
| PC | Dissipaço do coletor | 1,25 | W |
| TJ, Tstg | Temperatura da junço e de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | Ic= 1mA, IE=0 | 700 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | Ic= 10 miliampères, IB=0 | 400 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB= 700V, ISTO É =0 | 1 | miliampère | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 0,5 | miliampère | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB= 9 V, IC=0 | 1 | miliampère | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE= 5 V, IC= 0,5 A | 8 | 40 | ||
| hFE (2) | VCE= 5 V, IC= 1.5A | 5 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | IC=1A, IB= 250 miliampères | 0,6 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | IC=1A, IB= 250mA | 1,2 | V | ||
| Tenso do emissor de base | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
Frequência da transiço |
fT | VCE=10V, Ic=100mA f =1MHz |
5 |
Megahertz | ||
| Tempo de queda | tf | MIMC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Tempo de armazenamento | ts | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
CLASSIFICAÇO de hFE1
| Grau | |||||||
| Escala | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
CLASSIFICAÇO dos tS
| Grau | A1 | A2 | B1 | B2 |
| Escala | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote TO-92
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
| A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
| A1 | 1,050 | 1,350 | 0,042 | 0,054 |
| B | 1,350 | 1,650 | 0,053 | 0,065 |
| b | 0,500 | 0,700 | 0,020 | 0,028 |
| b1 | 0,700 | 0,900 | 0,028 | 0,035 |
| c | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| c1 | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| D | 6,350 | 6,650 | 0,250 | 0,262 |
| D1 | 5,200 | 5,400 | 0,205 | 0,213 |
| E | 5,400 | 5,700 | 0,213 | 0,224 |
| e | 2,300 TIPO. | 0,091 TIPOS. | ||
| e1 | 4,500 | 4,700 | 0,177 | 0,185 |
| L | 7,500 | 7,900 | 0,295 | 0,311 |
Interruptor do transistor de 3DD13003 NPN, dissipação do coletor dos transistor 1.25W da série da ponta
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