circuito do transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para a fonte de alimentação móvel
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:2N3906
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
Fornecedor do último login vezes:
No 14 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N3906 (NPN).
CARACTERÍSTICA
Transistor planar epitaxial do silicone de Ÿ PNP para a comutaço e as aplicações do amplificador
Ÿ como o tipo complementar, o transistor 2N3904 de NPN é recomendado
Este transistor de Ÿ está igualmente disponível no caso SOT-23 com o tipo designaço MMBT3906
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25ć salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | -40 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | -40 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | -5 | V |
| MIMC | Coletor Atual-contínuo | -0,2 | A |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 0,625 | W |
| TJ | Temperatura de junço | 150 | ć |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~150 | ć |
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MIMC = -10ΜA, ISTO É =0 | -40 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MIMC =-1MA, IB=0 | -40 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = -10ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB= -40 V, ISTO É =0 | -0,1 | µA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEX | VCE= -30 V, VEB(fora) =-3V | -50 | nA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB= -5 V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
Ganho atual de C.C. | hFE1 | VCE=-1 V, MIMC= -10MA | 100 | 400 | ||
| hFE2 | VCE=-1 V, MIMC= -50MA | 60 | ||||
| hFE3 | VCE=-2 V, MIMC= -100MA | 30 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MIMC= -50MA, IB= -5MA | -0,4 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | MIMC= -50MA, IB= -5MA | -0,95 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE=-20V, IC= -10MA f = 100MHz | 250 | Megahertz | ||
| Tempo de atraso | TD | VCC=-3V, VBE=-0.5V, MimC=-10mA, IB1=-1mA | 35 | ns | ||
| Tempo de elevaço | tr | 35 | ns | |||
| Tempo de armazenamento | ts | VCC=-3V, Ic=-10mA MimB1=IB2=-1mA | 225 | ns | ||
| Tempo de queda | tf | 75 | ns |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Disposiço sugerida SOT-89-3L da almofada
Disposiço sugerida TO-92 da almofada
TO-92 7DSH DQG 5HHO
circuito do transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para a fonte de alimentação móvel
Inquiry Cart
0