temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem de superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:2N3904
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N3904 (NPN).
CARACTERÍSTICA
Transistor planar epitaxial do silicone de Ÿ NPN para a comutaço e as aplicações do amplificador
Ÿ como o tipo complementar, o transistor 2N3906 de PNP é recomendado
Este transistor de Ÿ está igualmente disponível no caso SOT-23 com o tipo designaço MMBT3904
INFORMAÇO PEDINDO
| Número da peça | Pacote | Método da embalagem | Quantidade do bloco |
| 2N3904 | TO-92 | Volume | 1000pcs/Bag |
| 2N3904-TA | TO-92 | Fita | 2000pcs/Box |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 60 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 40 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 6 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | 0,2 | A |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 0,625 | W |
| TJ | Temperatura de junço | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55-150 | Š |
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MIMC=10ΜA, ISTO É =0 | 60 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC= 1mA, IB=0 | 40 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = 10µA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB=60V, ISTO É =0 | 0,1 | µA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEX | VCE=30V, VEB(fora) =3V | 0,05 | µA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB= 5V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
Ganho atual de C.C. | hFE1 | VCE=1V, IC=10mA | 100 | 400 | ||
| hFE2 | VCE=1V, IC=50mA | 60 | ||||
| hFE3 | VCE=1V, IC=100mA | 30 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MimC=50mA, IB=5mA | 0,3 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | MimC=50mA, IB=5mA | 0,95 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz | 300 | MHZ | ||
| Tempo de atraso | td | VCC=3V, VBE=0.5V, MimC=10mA, IB1=1mA | 35 | ns | ||
| Tempo de elevaço | tr | 35 | ns | |||
| Tempo de armazenamento | ts | VCC=3V, IC=10mA MimB1=IB2=1mA | 200 | ns | ||
| Tempo de queda | tf | 50 | ns |
CLASSIFICAÇO de hFE1
| Grau | O | Y | G |
| Nge do Ra | 100-200 | 200-300 | 300-400 |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Disposiço sugerida SOT-89-3L da almofada
Disposiço sugerida TO-92 da almofada
TO-92 7DSH DQG 5HHO
temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem de superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta
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