Tensão de saturação do emissor do coletor dos transistor de poder da ponta de SOT-89-3L B772 baixa
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:B772
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor B772 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Interruptor de baixa velocidade
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | -40 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | -30 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | -6 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | -3 | A |
| PC | Dissipaço do coletor | 1,25 | W |
| RӨJA | Resistência térmica da junço a ambiental | 100 | ℃/W |
| TJ | Temperatura de junço | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
AVALIAÇÕES de AXIMUM (Ta =25℃ salvo disposiço em contrário)
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | Ic=-100μA, ISTO É =0 | -40 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC=-10mA, IB=0 | -30 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É =-100 μA, IC=0 | -6 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB=-40 V, ISTO É =0 | -1 | μA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE=-30 V IB=0 | -10 | μA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE=-2V, IC=-1A | 60 | 400 | ||
| hFE (2) | VCE=-2V, IC=-100mA | 32 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MIMC=-2A, IB=-0.2A | -0,5 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | MIMC=-2A, IB=-0.2A | -1,5 | V | ||
Frequência da transiço | fT | VCE=-5V, IC=-0.1A f=10MHz |
50 |
Megahertz |
CLASSIFICAÇO do hFE (1)
| Grau | R | O | Y | GR |
| Escala | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
| A | -- | 1,800 | -- | 0,071 |
| A1 | 0,020 | 0,100 | 0,001 | 0,004 |
| A2 | 1,500 | 1,700 | 0,059 | 0,067 |
| b | 0,660 | 0,840 | 0,026 | 0,033 |
| b1 | 2,900 | 3,100 | 0,114 | 0,122 |
| c | 0,230 | 0,350 | 0,009 | 0,014 |
| D | 6,300 | 6,700 | 0,248 | 0,264 |
| E | 6,700 | 7,300 | 0,264 | 0,287 |
| E1 | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| e | 2,300 (BSC) | 0,091 (BSC) | ||
| L | 0,750 | -- | 0,030 | -- |
| θ | 0° | 10° | 0° | 10° |
Disposiço sugerida SOT-89-3L da almofada
Fita e carretel de SOT-89-3L
Tensão de saturação do emissor do coletor dos transistor de poder da ponta de SOT-89-3L B772 baixa
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