2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
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SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2SA1015 (PNP)
CARACTERÍSTICA
Dissipaço de poder de Ÿ
MARCAÇO
Código de A1015=Device
O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal
Y=Rank do hFE, XXX=Code
INFORMAÇO PEDINDO
| Número da peça | Pacote | Método da embalagem | Quantidade do bloco |
| 2SA1015 | TO-92 | Volume | 10000 |
| 2SA1015-TA | TO-92 | Fita | 2000 |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Medidor de Para | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | -50 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | -50 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | -5 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | -150 | miliampère |
| PD | Dissipaço de poder do coletor | 400 | mW |
| R0 JA | O Thermal resiste o ance da junço a ambiental | 312 | Š/W |
| Tj | Temperatura de junço | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura do orage do St | -55 ~+150 | Š |
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MIMC= -100ΜA, ISTO É =0 | -50 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MIMC= -0.1MA, IB=0 | -50 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = -100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB= -50V, ISTO É =0 | -0,1 | µA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE= -50V, IB=0 | -0,1 | µA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB= -5V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
| Ganho atual de C.C. | hFE | VCE= -6V, IC= -2MA | 70 | 700 | ||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MIMC= -100MA, IB= -10MA | -0,3 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | MIMC= -100MA, IB= -10MA | -1,1 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE= -10 V, IC= -1mA f =30MHz | 80 | Megahertz | ||
| Capacidade de saída do coletor | Espiga | VCB=-10V, ISTO É =0, f=1MHz | 7 | PF | ||
| Figura de ruído | N-F | VCE= -6 V, IC= -0.1mA, f =1kHz, RG=10kK | 6 | DB |
CLASSIFICAÇO de hFE1
| Grau | O | Y | GR | BL |
| Escala | 70-140 | 120-240 | 200-400 | 350-700 |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Disposiço sugerida SOT-89-3L da almofada
Disposiço sugerida TO-92 da almofada
TO-92 7DSH DQG 5HHO
2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP
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