Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
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TO-251-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor B772M (PNP)
CARACTERÍSTICAS
Interruptor de baixa velocidade
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | -40 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | -30 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | -6 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | -3 | A |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 1,25 | W |
| RӨJA | Resistência térmica, junço a ambiental | 100 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de junço | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55-150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MimC=-100μA, ISTO É =0 | -40 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MIMC= -10MA, IB=0 | -30 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = -100ΜA, IC=0 | -6 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB= -40V, ISTO É =0 | -1 | μA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE=-30V, IB=0 | -10 | μA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
| Ganho atual de C.C. | hFE | VCE= -2V, IC= -1A | 60 | 400 | ||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MIMC=-2A, IB= -0.2A | -0,5 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | MIMC=-2A, IB= -0.2A | -1,5 | V | ||
Frequência da transiço | fT | VCE= -5V, IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
Megahertz |
CLASSIFICAÇO DEFEde h(2)
| Grau | R | O | Y | GR |
| Escala | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Características típicas
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
| A | 2,200 | 2,380 | 0,087 | 0,094 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| B | 0,800 | 1,400 | 0,031 | 0,055 |
| b | 0,710 | 0,810 | 0,028 | 0,032 |
| c | 0,460 | 0,560 | 0,018 | 0,022 |
| c1 | 0,460 | 0,560 | 0,018 | 0,022 |
| D | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
| D1 | 5,130 | 5,460 | 0,202 | 0,215 |
| E | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
| e | 2,286 TIPO. | 0,090 TIPOS. | ||
| e1 | 4,327 | 4,727 | 0,170 | 0,186 |
| M | 1.778REF. | 0.070REF. | ||
| N | 0.762REF. | 0.018REF. | ||
| L | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
| L1 | 2.9REF. | 0.114REF. | ||
| L2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
| V | 4,830 REFERÊNCIA. | 0,190 REFERÊNCIAS. | ||
| ĭ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0.0±1 |
Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V
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