plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de 1.25W NPN D882 - transistor encapsulados
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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TO-251-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Dissipaço de poder
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 40 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 30 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 6 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | 3 | A |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 1,25 | W |
| TJ | Temperatura de junço | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55-150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MIMC = 100μA, ISTO É =0 | 40 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB= 40 V, ISTO É =0 | 1 | µA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | µA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | µA | ||
| Ganho atual de C.C. | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MimC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | MimC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
Frequência da transiço |
fT | VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz |
90 |
Megahertz |
CLASSIFICAÇO DEFEde h(2)
| Grau | R | O | Y | GR |
| Escala | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Características típicas
plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de 1.25W NPN D882 - transistor encapsulados
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